[發(fā)明專利]太陽能電池固化工具在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711114645.8 | 申請日: | 2017-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN108075012A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 佩里納·雅弗雷努;吉勒·奧拉夫·唐吉·普蘭;基蘭·馬克·特雷西;邱泰慶;邁克爾·C·約翰遜;林承笵 | 申請(專利權)人: | 太陽能公司;道達爾銷售服務公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧麗波;張娜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 固化 背接觸太陽能電池 退火 光接收表面 輻射固化 后端處理 沉積 制造 曝光 申請 | ||
本申請公開了一種利用太陽能電池的光接收表面的UV固化來制造太陽能電池的固化工具以及得到的太陽能電池。在示例中,固化工具將UV曝光級和一個或多個沉積或退火級相結合以制造太陽能電池。例如,輻射固化級可以在用于在背接觸太陽能電池上執(zhí)行操作的后端處理級之前。因此可以使用固化工具來執(zhí)行提高太陽能電池的UV穩(wěn)定性的方法。
交叉引用
本申請要求于2016年11月11日提交的美國臨時專利申請No.62/421,179的優(yōu)先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本公開的實施例屬于可再生能源領域,特別是太陽能電池的光接收表面的紫外線固化。
背景技術
光伏電池(通常被稱為太陽能電池)是眾所周知的用于將太陽輻射直接轉換成電能的裝置。通常,使用半導體處理技術在襯底的表面附近形成p-n結來在半導體晶片或襯底上制造太陽能電池。打在襯底表面并進入襯底的太陽能輻射在大塊的襯底中產(chǎn)生電子和空穴對。電子和空穴對遷移到襯底中的p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū),由此在摻雜區(qū)之間產(chǎn)生電壓差。摻雜區(qū)連接到太陽能電池上的導電區(qū),以將電流從電池引導到與其耦接的外部電路。
發(fā)明內容
一種太陽能電池固化工具,包括:輻射固化級,其包括發(fā)射電磁輻射的輻射源;一個或多個沉積級或退火級;以及傳輸機系統(tǒng),其包括可操作地耦接至晶片平臺的制動器,其中,所述晶片平臺具有面向所述輻射源的保持表面以接收發(fā)射的電磁輻射,并且其中,所述傳輸機系統(tǒng)移動所述晶片平臺通過所述輻射固化級和所述一個或多個沉積級或所述退火級。
附圖說明
圖1示出了根據(jù)本公開的實施例的用于制造太陽能電池的固化工具的示意圖。
圖2A至圖2B示出了根據(jù)本公開的實施例的用于制造太陽能電池的固化工具的各種輻射源構造。
圖3示出了根據(jù)本公開的實施例的用于制造太陽能電池的固化工具的輻射固化級的側面示圖。
圖4示出了根據(jù)本公開的實施例的用于制造太陽能電池的固化工具的傳輸機系統(tǒng)的一部分的側面示圖。
圖5A至圖5F示出了根據(jù)本公開的實施例的制造太陽能電池各個階段的截面圖。
圖6A至圖6B示出了根據(jù)本公開的實施例的傳輸機系統(tǒng)的晶片平臺的保持表面的詳細示圖。
圖7示出了根據(jù)本公開的實施例的傳輸機系統(tǒng)的晶片平臺的俯視圖和截面圖。
具體實施方式
下面的詳細描述本質上僅僅是說明性的,并不旨在限制主題的實施例或這些實施例的應用和使用。如本文所使用的,詞語“示例性”意味著“用作示例、實例或說明”。本文描述為示例性的任何實現(xiàn)方案不一定被解釋為比其他實現(xiàn)方案優(yōu)選或有利。此外,并不旨在受到在前述技術領域、背景技術、發(fā)明內容或以下具體實施方式呈現(xiàn)的任何表達或暗示的理論的束縛。
本說明書包括對“一個實施例”或“實施例”的提及。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現(xiàn)不一定指代同一實施例。特定的特征、結構或特性可以以與本公開一致的任何合適的方式組合。
術語。以下段落提供了本公開(包括所附權利要求書)中發(fā)現(xiàn)的術語的定義和/或語境:
“包括”。該術語是開放式的。如所附權利要求中所使用的,該術語不排除另外的結構或步驟。
“構造為”可以將各種單元或組件描述或聲稱為“構造為”執(zhí)行一個或多個任務。在這樣的語境中,“構造為”被用于通過指示這些單元/組件包括操作期間執(zhí)行所述一個或多個任務的結構來暗示結構。這樣,單元/組件可以被認為是甚至當特定的單元/組件當前不可操作(例如,未開啟/激活)時執(zhí)行任務。表達單元/電路/組件被“構造為”執(zhí)行一個或多個任務明確地表示該單元/電路/組件不違反35U.S.C.§112,第六款。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太陽能公司;道達爾銷售服務公司,未經(jīng)太陽能公司;道達爾銷售服務公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





