[發明專利]一種半導體元件

有效

• 申請號: 201711112481.5
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108091746B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 陳功;劉傳桂;陳亭玉;林素慧;洪靈愿;許圣賢;彭康偉;張家宏
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體元件，包括：半導體疊層和電極，所述電極形成于所述半導體疊層上，其特征在于：所述電極表面上設有抗吸附材料層，其對氣態污染物或顆粒狀污染物的吸附能力低于所述電極對氣態污染物或顆粒狀污染物的吸附能力，用于抑制所述電極表面的污染物吸附。

2.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述抗吸附材料層對膠氣的吸附能力低于所述電極對膠氣的吸附能力。

3.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述抗吸附材料層的厚度足夠薄以使其不影響所述電極進行焊線。

4.根據權利要求3所述的一種半導體元件，其特征在于：所述抗吸附材料層的厚度為5~50nm。

5.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述抗吸附材料層的材料選用八面體間隙半徑比金小的金屬或合金材料。

6.根據權利要求5所述的一種半導體元件，其特征在于：所述抗吸附材料層的材料選用鉑、銥、鎳、銅金屬或其合金。

7.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述半導體疊層上的非電極區域設有吸附材料，其對氣態污染物或顆粒狀污染物的吸附能力強于所述電極對氣態污染物或顆粒狀污染物的吸附能力。

8.根據權利要求7所述的一種半導體元件，其特征在于：所述吸附材料與所述電極電性連接，作為電極的擴展條之用。

9.根據權利要求7所述的一種半導體元件，其特征在于：所述吸附材料的厚度介于1~100nm。

10.根據權利要求7所述的一種半導體元件，其特征在于：所述吸附材料設置在所述半導體元件的側壁上。

11.根據權利要求7所述的一種半導體元件，其特征在于：所述吸附材料與所述電極的距離在300mm以內。

12.根據權利要求7所述的一種半導體元件，其特征在于：所述吸附材料含有金屬材料或者納米氧化物材料或者石墨烯或者活性炭或者多孔陶瓷。

13.根據權利要求12所述的一種半導體元件，其特征在于：所述金屬材料含有Pd或LaNi₅或NdNi₅或CaNi₅或TiNi₅或LaAl₅或LaFe₅或LaCr₅或LaCu₅或LaSi₅或LaSn₅或FeTi或MnTi或CrTi或TiCu或MgZn₂或MgZn₂或NiMg₂或ZrCr₂或ZrMn₂或前述任意組合。

14.根據權利要求12所述的一種半導體元件，其特征在于：所述納米氧化物材料含有ZrO₂或CuO或TiO₂或Al₂O₃或前述任意組合。