[發明專利]一種鍺晶體化學機械拋光的拋光液及使用方法在審
| 申請號: | 201711111759.7 | 申請日: | 2017-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN109777303A | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發明(設計)人: | 宋叢愷 | 申請(專利權)人: | 青島凱玉盈商貿有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266700 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學機械拋光 粗拋液 精拋液 鍺晶體 表面活性劑 拋光液 磨料 機械拋光過程 氧化劑 兩步拋光法 材料化學 金屬離子 顆粒沾污 磨料粒徑 去離子水 原料組成 拋光 粗糙度 拋光機 水溶膠 螯合劑 | ||
1.一種鍺晶體化學機械拋光的拋光液,其特征是:包括粗拋液和精拋液,所述粗拋液按重量%計,主要由下列原料組成:磨料粒徑15-110nm、濃度≥40wt%、硬度≤7Mohs的SiO2水溶膠磨料10-50%、氧化劑0.2-1.5%、pH調節劑0.5-2%、螯合劑0.2-1.5%、表面活性劑0.1-1%;pH調節劑為有機堿;所述精拋液按重量%計,由下列原料組成:表面活性劑0.1-0.5%,99.5-99.9%為去離子水;所述螯合劑為FA/OII型螯合劑;所述表面活性劑為FA/OI型表面活性劑、OII-7((C1OH21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C1OH21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、或JFC的一種或幾種混合。
2.根據權利要求1所述的鍺晶體化學機械拋光的拋光液,其特征是:所述拋光液的制備方法:按重量%計,粗拋液:將10-50%納米SiO2水溶膠邊攪拌邊加入去離子水稀釋至完全溶解,隨后邊攪拌邊依次加入0.1-1%的表面活性劑、0.2-1%的螯合劑、0.5-2%pH調節劑和0.2-1.5%氧化劑;精拋液:將0.1-0.5%非離子表面活性劑邊攪拌邊加入99.5-99.9%去離子水中。
3.根據權利要求1所述的鍺晶體化學機械拋光的拋光液,其特征是:所述氧化劑為氧化性適中無金屬離子的H2O2。
4.根據權利要求1所述的鍺晶體化學機械拋光的拋光液,其特征是:所述pH調節劑為有機多羥胺堿,包括三乙醇胺、四羥基乙二胺、四羥乙基已二胺的一種或幾種的混合。
5.根據權利要求1所述的鍺晶體化學機械拋光的拋光液,其特征是:所述pH調節劑的pH值為9-13。
6.一種根據權利要求1所述的鍺晶體化學機械拋光的拋光液使用方法,其特征是:由以下步驟組成:選擇兩步拋光法進行化學機械拋光,第一步選用粗拋液,第二步選用精拋液,兩步拋光在同一臺拋光機上完成;第一步取制備好的粗拋液1000-3000g,工藝條件為拋光液流量100g-300g/min、溫度20-35℃、拋光壓力6.895-27.58Kpa,轉速40-80rpm;第二步取精拋液300-500g,工藝條件為流量300g-500g/min、溫度20-35℃、拋光壓力0-13.79Kpa,轉速60-100rpm。
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