[發明專利]用于微納尺度物質投送及提取的中空懸臂探針有效
| 申請號: | 201711111195.7 | 申請日: | 2017-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN107879309B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 宋杰;齊岱宗 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | B81B3/00 | 分類號: | B81B3/00;B81C1/00;G01Q70/10;G01Q70/16 |
| 代理公司: | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人: | 王毓理;王錫麟 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 尺度 物質 投送 提取 中空 懸臂 探針 | ||
1.一種中空懸臂探針的制備方法,其特征在于,通過在基底表面通過各向異性腐蝕得到帶有懸臂梁的四棱錐形凹洞,然后將一覆蓋層置于凹洞上方并進行低溫氧化沉積,最后去除凹洞底部多余基底并以光刻蝕工藝弭去凹洞洞口及懸臂梁另一端,得到扁立方體結構的中空懸臂探針,該中空懸臂探針由漏斗狀的探針和管狀的懸臂梁組成,其中:懸臂梁與探針內部中空且相連通以輸送物質;
所述的覆蓋層的下表面與基底的上表面不相接觸且最近距離為1微米。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征是,所述方法具體包括:
1)在作為基底的硅片表面以反應離子刻蝕工藝蝕出懸臂梁輪廓,在懸臂梁輪廓一端利用KOH的各向異性腐蝕產生一個四棱錐形凹洞;
2)另取一硅片作為覆蓋層倒覆其上,控制覆蓋層的下表面與基底的上表面的表面間距為1微米;
3)以柵氧化工藝在作為基底的硅片表面形成氧化生長層,此過程中懸臂梁倒模輪廓的邊緣亦將與位于上方的作為覆蓋層的硅片以生長出的氧化層相連接;
4)以鹵素氣體將基底除去;
5)以光刻蝕工藝弭去針尖及懸臂梁尾部,得到中空懸臂探針。
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