[發明專利]一種溫度補償衰減器的制備方法

有效

• 申請號: 201711110310.9
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107706495B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 廖進福;沓世我;付振曉;楊曌;羅俊堯;李保昌
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01P1/22;H01P1/30
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 周全英;郝傳鑫

1.一種溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1a）采用薄膜工藝在基片上沉積PTC熱敏電阻，對PTC熱敏電阻進行圖形化，保留設計所需部分，并對PTC熱敏電阻進行熱處理；

（2a）采用薄膜工藝在基片上沉積至少一層NTC熱敏電阻和至少一層導電層，NTC熱敏電阻與導電層交替堆疊，且與基片接觸的是導電層；對NTC熱敏電阻和導電層進行圖形化，保留設計所需部分，并對NTC熱敏電阻和導電層進行熱處理；

（3a）采用薄膜工藝在基片上沉積金屬電極，對金屬電極進行圖形化，得到溫度補償衰減器；或者

（1b）采用薄膜工藝在基片上沉積PTC熱敏電阻，對PTC熱敏電阻進行圖形化，保留設計所需部分；

（2b）采用薄膜工藝在基片上沉積至少一層NTC熱敏電阻和至少一層導電層，NTC熱敏電阻與導電層交替堆疊，且與基片接觸的是導電層；對NTC熱敏電阻和導電層進行圖形化，保留設計所需部分；

（3b）同時對圖形化后的PTC熱敏電阻、NTC熱敏電阻和導電層進行熱處理；

（4b）采用薄膜工藝在基片上沉積金屬電極，對金屬電極進行圖形化，得到溫度補償衰減器；

所述NTC熱敏電阻與導電層構成的疊層結構、所述PTC熱敏電阻以及所述金屬電極構成T型、Π型、橋接T型、平衡T型或平衡Π型的電阻網絡結構。

2.如權利要求1所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述步驟（1a）和（2a）之間或者所述步驟（1b）和（2b）之間還包括以下步驟：在基片上沉積粘附層，粘附層位于最底層的導電層的下方。

3.如權利要求1所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述導電層的材料為金屬導體，所述導電層的電阻率與所述NTC熱敏電阻的電阻率的比值小于10^-6；或所述導電層的材料為氧化物，所述導電層的電阻率與所述NTC熱敏電阻的電阻率的比值在3×10^-5~7×10^-4之間。

4.如權利要求3所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述金屬導體為Pt、Au或Pd；所述NTC熱敏電阻的材料是電阻率為1~100Ω·cm、熱敏常數為10³K數量級的Mn-Co-Cu-O體系；所述氧化物為SnO₂、摻銻SnO₂、ITO、RuO₂、RhO₂、ReO₂、ReO₃、IrO₂、MRuO₃、LaMnO3、LaCoO₃、LaNiO₃、LaCrO₃、CaVO₃、SrVO₃、SrMoO₃；MRuO₃中M為Sr、Pb、Bi、Ca或Ba。

5.如權利要求1所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述PTC熱敏電阻的材料為RuO₂、MRuO₃、RhO₂、ReO₂、ReO₃、IrO₂或它們的摻雜物。

6.如權利要求1所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述NTC熱敏電阻的材料為摻雜銅和/或釕元素的錳系尖晶石材料，或者是在電阻率為10^-5~10^-2 Ω·cm的導電氧化物中進行摻雜所得的TCR為負值的材料。

7.如權利要求6所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：所述錳系尖晶石材料為Mn-Co-O或Mn-Ni-O。

8.如權利要求1所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：還包括以下步驟：在熱處理后的PTC熱敏電阻和NTC熱敏電阻上采用薄膜或者厚膜的工藝覆蓋絕緣介質作為保護層。

9.如權利要求1或8所述的溫度補償衰減器的制備方法，其特征在于：還包括以下步驟：對金屬電極進行表面處理。