[發(fā)明專利]一種用于太陽能電池的多晶硅片及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711107387.0
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN107895744A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳俊桃;劉堯平;陳偉;陳全勝;趙燕;王燕;杜小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236
• 代理公司: 北京智匯東方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11391
• 代理人: 康正德,薛峰

1.一種用于太陽能電池的多晶硅片，具有制絨表面，其特征在于，所述制絨表面是由一系列獨立、緊密排布、具有微米尺寸的類倒金字塔結(jié)構(gòu)構(gòu)成的絨面結(jié)構(gòu)，其中，對于多晶硅片的不同晶粒，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口方向不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片的制絨表面是由酸性制絨液刻蝕制得，所述酸性制絨液中含有氧化劑，所述氧化劑用于使得硅表面上形成的過量銅納米顆粒被氧化形成Cu²⁺進而避免在硅片表面形成致密銅膜阻礙刻蝕的進行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口方向與其對應(yīng)的晶粒的取向一致。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口形狀包括三角形、四邊形或六邊形；所述多晶硅片具有第一晶向、第二晶向、第三晶向及第四晶向；

對于所述多晶硅片的第二晶向的晶粒，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口為三角形；對于所述多晶硅片的第三晶向、第四晶向的晶粒，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口為四邊形；對于所述多晶硅片的第一晶向的晶粒，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口為六邊形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述制絨表面的平均反射率小于20％；

可選地，所述制絨表面的平均反射率為5％-20％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述類倒金字塔結(jié)構(gòu)的開口邊長為1μm～10μm，結(jié)構(gòu)深度為1μm～10μm。

7.一種用于太陽能電池的多晶硅片的制備方法，其特征在于，通過將清洗后的硅片浸泡至酸性制絨液中刻蝕獲得；其中，所述酸性制絨液包括銅離子源、氟離子源以及能夠?qū)~氧化為銅離子的氧化劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅片的制備方法，其特征在于，所述銅離子源用于提供濃度為0.1～30.0mmol/L的銅離子，氟離子源用于提供濃度為0.4～11.0mol/L的氟離子，氧化劑的濃度為0.1～5.0mol/L。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅片的制備方法，其特征在于，所述銅離子源為氯化銅、硫酸銅和硝酸銅中的一種或多種；所述氧化劑為高錳酸鉀、溴化鉀、過硫酸鹽和雙氧水中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅片的制備方法，其特征在于，所述酸性制絨液刻蝕時的溫度為30℃～80℃，刻蝕時間為3分鐘～20分鐘。