[發(fā)明專利]介質(zhì)阻擋放電離子源

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711107363.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN107946158A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左國(guó)民;杜正;王學(xué)峰;汪小知;高適;劉永靜;李鵬;張榮;陳俊祥;張立功
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍陸軍防化學(xué)院;蘇州微木智能系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01J27/02
• 分類號(hào): H01J27/02
• 代理公司: 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11606
• 代理人: 賈滿意

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電離技術(shù)，特別是涉及一種介質(zhì)阻擋放電離子源。

背景技術(shù)

離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。在樣品氣體流經(jīng)放電區(qū)時(shí)，可以被電場(chǎng)電離成離子。但是，傳統(tǒng)的離子源電離面積小，電離效率較低，使用的電壓也較大。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)電離源電離面積小、電離效率低的問(wèn)題，提供一種介質(zhì)阻擋放電離子源。

一種介質(zhì)阻擋放電離子源，包括：

第一螺旋電極，所述第一螺旋電極為帶狀，且由起始端向外螺旋延伸；

第二螺旋電極，所述第二螺旋電極為帶狀，且由起始端向外螺旋延伸，所述第二螺旋電極與所述第一螺旋電極共面且平行間隔設(shè)置；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置于所述第一螺旋電極與所述第二螺旋電極相對(duì)的側(cè)壁；

第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置于所述第二螺旋電極與所述第一螺旋電極相對(duì)的側(cè)壁。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一螺旋電極與所述第二螺旋電極互補(bǔ)，并共同構(gòu)成圓形結(jié)構(gòu)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一螺旋電極的起始端與所述第二螺旋電極的起始端為互補(bǔ)的太極頭。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，第一螺旋電極包括第一螺旋條狀基體，和覆蓋所述第一螺旋條狀基體的第一導(dǎo)電層；

所述第二螺旋電極包括第二螺旋條狀基體，和覆蓋所述第二螺旋條狀基體的第二導(dǎo)電層；

所述第二螺旋條狀基體與所述第一螺旋條狀基體平行間隔設(shè)置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一螺旋條狀基體與所述第二螺旋條狀基體相對(duì)的側(cè)壁；

所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二螺旋條狀基體與所述第一螺旋條狀基體相對(duì)的側(cè)壁。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述介質(zhì)阻擋放電離子源還包括：

第一支撐架，所述第一支撐架與所述第一螺旋電極的螺旋外圍端固定連接；

第二支撐架，所述第二支撐架與所述第二螺旋電極的螺旋外圍端固定連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一螺旋電極與所述第二螺旋電極之間形成有螺旋放電溝道，所述螺旋放電溝道的延伸方向與所述第一螺旋電極和所述第二螺旋電極的延伸方向相同。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述螺旋放電溝道的寬度為10微米-100微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述螺旋放電溝道的縱寬比大于10:1。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一螺旋電極和所述第二螺旋電極相對(duì)的表面設(shè)置有多個(gè)第一凸點(diǎn)；

所述第二螺旋電極和所述第一螺旋電極的表面設(shè)置有多個(gè)第二凸點(diǎn)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述介質(zhì)阻擋放電離子源進(jìn)一步包括電源，所述電源分別與所述第二螺旋電極和所述第一螺旋電極電連接。

上述介質(zhì)阻擋放電離子源，采用共面且平行間隔設(shè)置的螺旋狀的第一螺旋電極和第二螺旋電極，第一螺旋電極和第二螺旋電極之間的間隔用以通過(guò)樣品并電離該樣品。在螺旋狀的放電電極之間設(shè)置細(xì)長(zhǎng)連貫的通道，在不增大整體面積的情況下盡量的增大了樣品電離的面積，從而使通過(guò)的樣品流量增加，提高了電離效率。由于正負(fù)放電電極間的距離與外加電壓大小正相關(guān)，所以上述介質(zhì)阻擋放電離子源的結(jié)構(gòu)減小了離子源所需的電壓，減小了消耗，也避免了過(guò)大電壓會(huì)對(duì)離子源周圍設(shè)備產(chǎn)生影響。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的介質(zhì)阻擋放電的離子源結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的圖1圈A部分的局部放大示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的介質(zhì)阻擋放電離子源結(jié)構(gòu)(有支撐架)的俯視示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的圖3圈B部分(有凸點(diǎn))的局部放大示意圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的介質(zhì)阻擋放電的離子源結(jié)構(gòu)的局部放電示意圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

10 介質(zhì)阻擋放電離子源

100第一螺旋電極

110第一螺旋條狀基體

120第一導(dǎo)電層

130第一支撐架

140第一凸點(diǎn)

200第二螺旋電極

210第二螺旋條狀基體

220第二導(dǎo)電層

230第二支撐架

240第二凸點(diǎn)

300放電溝道

400電源

510第一絕緣層

520第二絕緣層

具體實(shí)施方式