[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201711105539.3 | 申請日: | 2017-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN108074958A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 金宰賢;郭珍午;張龍圭 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;陳曉博 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快門 電極 基底 有機發光二極管 顯示設備 共電極 快門單元 像素電極 發射區域 透射區域 發光層 | ||
1.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
第一基底,包括其中設置有快門單元的透射區域和其中設置有有機發光二極管的發射區域;以及
第二基底,與所述第一基底相對,
其中,所述快門單元包括第一快門電極、第二快門電極以及置于所述第一快門電極和所述第二快門電極之間的快門層,
其中,所述有機發光二極管包括像素電極、共電極以及置于所述像素電極和所述共電極之間的發光層,并且
其中,所述快門單元的所述第一快門電極和所述第二快門電極中的至少一個連接至所述有機發光二極管的所述共電極。
2.如權利要求1所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
像素電路,設置在所述第一基底的所述發射區域中并連接至所述有機發光二極管。
3.如權利要求2所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
第一基體基底;以及
緩沖層,設置在所述第一基體基底上,
其中,在所述發射區域中,所述像素電路和所述有機發光二極管設置在所述緩沖層上,在所述透射區域中,所述快門單元設置在暴露所述緩沖層的開口中。
4.如權利要求3所述的顯示設備,其中,在所述透射區域中,所述第一快門電極設置所述緩沖層上,所述第一快門電極連接至所述共電極。
5.如權利要求4所述的顯示設備,其中,所述快門單元構造為基于施加到所述第二快門電極的驅動電壓以透明模式驅動或以不透明模式驅動。
6.如權利要求3所述的顯示設備,其中,在所述透射區域中,所述第二快門電極設置在所述快門層上,所述第二快門電極連接至所述共電極,并且
其中,所述共電極包括第一透明導電層和第二透明導電層,所述第二快門電極使用所述第二透明導電層形成。
7.如權利要求6所述的顯示設備,其中,所述快門單元構造為基于施加到所述第一快門電極的驅動電壓以透明模式或不透明模式驅動。
8.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
第一基底,包括其中設置有快門單元的透射區域和其中設置有有機發光二極管的發射區域;以及
第二基底,與所述第一基底相對,
其中,所述快門單元包括第一快門電極、第二快門電極以及置于所述第一快門電極和所述第二快門電極之間的快門層,
其中,所述有機發光二極管包括像素電極、共電極以及置于所述像素電極和所述共電極之間的發光層。
9.如權利要求8所述的顯示設備,所述顯示設備還包括:
像素電路,設置在所述第一基底的所述發射區域中并連接至所述有機發光二極管。
10.如權利要求9所述的顯示設備,所述第一基底還包括第一基體基底和設置在所述第一基體基底上的緩沖層,
其中,在所述發射區域中,所述像素電路和所述有機發光二極管設置在所述緩沖層上,在所述透射區域中,所述快門單元設置在暴露所述緩沖層的開口中。
11.如權利要求10所述的顯示設備,其中,在所述透射區域中,所述第一快門電極設置在所述緩沖層上,并且第二快門電極設置在所述快門層上。
12.如權利要求10所述的顯示設備,其中,在所述透射區域中,所述第一快門電極設置在所述緩沖層上,
所述第二快門電極設置在所述快門層上,并且
所述發射區域中的所述共電極包括第一透明導電層和第二透明導電層,
其中,所述第二快門電極使用所述第二透明電極層形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711105539.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





