[發(fā)明專利]一種基于數(shù)值模擬的地層傾角對電阻率影響的校正方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711104609.3
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN107748393B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙軍;蒲萬麗;劉凱;武延亮;肖承文;向薪燃
• 申請（專利權(quán)）人: 西南石油大學(xué)
• 主分類號: G01V3/18
• 分類號: G01V3/18;G01V3/38
• 代理公司: 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11640
• 代理人: 霍春月

1.一種基于數(shù)值模擬的地層傾角對電阻率影響的校正方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、首先運用有限元方法模擬不同地層傾角條件下感應(yīng)測井的地層電阻率；

S2、再利用數(shù)值模擬結(jié)果建立電阻率正演模型：

式中，R_t為正演模型的計算值，R_h為地層水平電阻率，R_v為地層垂直電阻率，θ為地層傾角，其中R_h就是需要通過傾角校正的地層水平電阻率，通過采用粒子群算法，將地層視電阻率R_a與正演模型的計算電阻率R_t比較，得出滿足特定適應(yīng)度函數(shù)的全局最優(yōu)解時的地層水平電阻率R_h；

S3、最后利用擬合出的正演模型，配合粒子群算法，將地層視電阻率R_a與正演模型的計算電阻率R_t比較，得出滿足特定適應(yīng)度函數(shù)的全局最優(yōu)解時的地層水平電阻率R_h；

所述步驟S1的具體過程為：

S10、建立地層物理模型，其中地層的物理模型包括地層結(jié)構(gòu)、模型參數(shù)，所述地層結(jié)構(gòu)包括目的層的厚度h、地層的傾斜角度θ、井徑D、以及線圈系的位置坐標(biāo)；所述模型參數(shù)包括目的層電阻率為R_t、地層相對介電常數(shù)ε_r、地層相對磁導(dǎo)率μ_r、上下圍巖的電阻率為R_s、井眼內(nèi)泥漿的電阻率為R_f；

S11、建立微分方程及邊界條件：

磁場的矢量波動方程：

地層界面上的邊界條件：

n×(H₁-H₂)＝0

狄里克雷邊界條件：

H|_∞＝0

式中：H為磁場強度，ω角頻率，μ磁導(dǎo)率，ε_c復(fù)介電常數(shù)，M_s為磁流密度矢量；

S12、將地層物理模型體積V離散成有限個四面體單元；

S13、選取插值函數(shù)；

S14、建立有限元方程；

S15、對于復(fù)合線圈系，由迭加原理可得到感應(yīng)測井的視電阻率值；

S16、最后對模擬結(jié)果進行分析。