[發明專利]物理氣相沉積設備以及方法在審
| 申請號： | 201711102842.8 | 申請日： | 2017-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN108018536A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 瞿燕;龍吟;倪棋梁;王愷 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/54 | 分類號： | C23C14/54;C23C14/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 物理 沉積 設備 以及 方法 | ||
1.一種物理氣相沉積設備，其特征在于，物理氣相沉積設備的氣相沉積工藝腔包括：
晶圓基座，所述晶圓基座的表面用于放置晶圓；
所述晶圓基座內置設置有控制所述晶圓冷卻的冷卻水通路；
所述冷卻水通路分成多個獨立循環區，各所述獨立循環區分別冷卻對應區域的所述晶圓背面，各所述獨立循環區的冷卻速率獨立調節，且通過各所述獨立循環區的冷卻速率獨立調節使所述晶圓在作業過程中各區域的冷卻速率趨于一致并降低所述晶圓各區域在作業過程中的溫差且將所述溫差降低到不出現金屬晶格缺陷。
2.如權利要求1所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：所述氣相沉積工藝腔為用于沉積金屬鋁的氣相沉積工藝腔。
3.如權利要求1或2所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：各所述獨立循環區分別具有冷卻水流速調節裝置，通過調節對應的所述獨立循環區的冷卻水的流速調節所述晶圓上對應區域的冷卻速率。
4.如權利要求1或2所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：各所述獨立循環區的結構呈同心圓環狀，每一個所述獨立循環區調節所述晶圓上對應圓環區域的冷卻速率。
5.如權利要求4所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：各所述獨立循環區分別設置有進水端和出水端。
6.如權利要求5所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：各所述獨立循環區分別的進水端都連接到同一根進水主管；各所述獨立循環區分別的出水端都連接到同一根出水主管。
7.如權利要求1所述的物理氣相沉積設備，其特征在于：所述晶圓的直徑為8英寸以上。
8.一種物理氣相沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、對物理氣相沉積設備的氣相沉積工藝腔進行如下設置，設置后的氣相沉積工藝腔包括：
晶圓基座，所述晶圓基座的表面用于放置晶圓；
所述晶圓基座內置設置有控制所述晶圓冷卻的冷卻水通路；
所述冷卻水通路分成多個獨立循環區，各所述獨立循環區分別冷卻對應區域的所述晶圓背面，各所述獨立循環區的冷卻速率獨立調節；
步驟二、將所述晶圓放置在所述晶圓基座上并進行金屬沉積；在所述金屬沉積對應的作業過程中，通過調節各所述獨立循環區的冷卻速率調節所述晶圓的對應區域的冷卻速率，使所述晶圓在作業過程中各區域的冷卻速率趨于一致從而降低所述晶圓各區域在作業過程中的溫差且將所述溫差降低到不出現金屬晶格缺陷。
9.如權利要求8所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：所述氣相沉積工藝腔為用于沉積金屬鋁的氣相沉積工藝腔，步驟二中沉積的金屬為金屬鋁。
10.如權利要求8或9所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：各所述獨立循環區分別具有冷卻水流速調節裝置，通過調節對應的所述獨立循環區的冷卻水的流速調節所述晶圓上對應區域的冷卻速率。
11.如權利要求8或9所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：各所述獨立循環區的結構呈同心圓環狀，每一個所述獨立循環區調節所述晶圓上對應圓環區域的冷卻速率。
12.如權利要求11所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：各所述獨立循環區分別設置有進水端和出水端。
13.如權利要求12所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：各所述獨立循環區分別的進水端都連接到同一根進水主管；各所述獨立循環區分別的出水端都連接到同一根出水主管。
14.如權利要求8所述的物理氣相沉積方法，其特征在于：所述晶圓的直徑為8英寸以上。
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