[發明專利]一種基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器

在審

• 申請號: 201711102453.5
• 申請日: 2017-11-10
• 公開（公告）號: CN107885007A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 楊振興;郭旭光;朱亦鳴
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: G02F1/17
• 分類號: G02F1/17
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司31204
• 代理人: 郁旦蓉,劉國華

1.一種基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，和電源連接，用于對太赫茲波進行調制，其特征在于，包括由下而上依次設置的下絕緣介質層、石墨烯薄膜層、上絕緣介質層以及光柵層，

其中，所述光柵層為具有亞波長周期的光柵，用于對所述太赫茲波進行耦合，

所述石墨烯薄膜層為單層石墨烯，用于對所述太赫茲波進行吸收，

所述石墨烯薄膜層上設置有至少一個電極，

所述電極和所述光柵分別與所述電源導電連接。

2.根據權利要求1所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于，還包括：

反射層，用于反射透過所述石墨烯薄膜層的所述太赫茲波，

其中，所述反射層設置在所述下絕緣介質層的底部。

3.根據權利要求2所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于，還包括：

襯底層，用于承載所述反射層，

其中，所述反射層設置在所述襯底層的頂部。

4.根據權利要求2所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述反射層為由金、銀以及銅中任一種材料制成的鍍層，

所述金屬反射層的厚度為200～500nm。

5.根據權利要求1所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述光柵包括多個平行等間隔設置的光柵條以及兩個平行設置的導電桿，

兩個所述導電桿分別設置在所述光柵條的兩端并導電連接，

所述導電桿與所述電源導電連接。

6.根據權利要求5所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述光柵為由金、銀以及鋁中任一種材料制成的光柵。

7.根據權利要求5所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，相鄰所述光柵條之間的距離為20～70μm，

相鄰所述光柵條之間的間距為10～35μm。

8.根據權利要求1所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述下絕緣介質層為由二氧化鉿、氧化鋁以及苯并環丁烯BCB中任一種材料制成的絕緣介質層，

所述下絕緣介質層的厚度為1～25μm。

9.根據權利要求1所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述上絕緣介質層均為由二氧化鉿、氧化鋁以及苯并環丁烯BCB中任一種材料制成的絕緣介質層，

所述上絕緣介質層的厚度均為1～25μm。

10.根據權利要求1所述的基于石墨烯和光柵復合結構的太赫茲調制器，其特征在于：

其中，所述電極的數量為兩個，

兩個所述電極對稱設置在所述上絕緣介質層的兩側。