[發(fā)明專利]無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711102331.6 | 申請日： | 2017-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN107863420A | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡琴;房江明;張凱勝;姚偉忠;孫鐵囤 | 申請（專利權）人： | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務所(普通合伙)32258 | 代理人： | 鄭云 |
| 地址： | 213000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 處理 太陽能電池 制備 工藝 | ||
1.一種無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：包括以下步驟：
a、硅片表面進行拋光；
b、然后對硅片的背面進行鍍氮化硅膜，在硅片背面鍍氮化硅膜時,硅片正面的四個側邊邊緣同時繞鍍有氮化硅膜；
c、接著對硅片的正面進行制絨；
d、隨后對硅片的正面進行擴散；
e、利用氫氟酸去除步驟b中的氮化硅膜及步驟d中擴散時硅片表面形成的磷硅玻璃；
f、硅片表面沉積膜體；
g、印刷硅片正面和背面的電極；
h、燒結。
2.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟a中采用氫氧化鈉、雙氧水及水的混合液對硅片表面進行拋光。
3.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟b中的氮化硅膜膜厚控制在70nm-80nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟c中將硅片放入氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液內，從而對硅片的正面進行制絨，氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液的溫度為80℃，制絨時間為10min。
5.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟d中擴散方阻為90-100Ω/□。
6.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟f具體為，在硅片正面采用PEVCD生長一層氮化硅層。
7.根據(jù)權利要求6所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟f中的氮化硅層的厚度為75nm，折射率為2.1。
8.根據(jù)權利要求1所述的無刻蝕處理的太陽能電池的制備工藝，其特征在于：步驟f具體為：
首先在硅片的背面沉積一層三氧化二鋁層，其中，三氧化二鋁層的厚度在5-10nm之間，三氧化二鋁的的沉積溫度為260-280℃；
接著在硅片背面的三氧化二鋁層上利用PEVCD沉積一層背面氮化硅層，其中，背面氮化硅層的厚度為150nm，折射率為2.06；
然后利用PEVCD在硅片的正面沉積一層正面氮化硅層，其中，正面氮化硅層的厚度為75nm，折射率為2.1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
