[發(fā)明專利]一種適用于硅片的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711102152.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108091549A | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈美玲;林子杰;彭振維;林建豪;王洋洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鹽城金合盛光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京匯恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32282 | 代理人: | 夏恒霞 |
| 地址: | 224700 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 氮?dú)?/a> 清潔設(shè)備 氮?dú)獍l(fā)生器 出風(fēng)口 出風(fēng) 豎直 載具 載片 殘留 顆粒污染物 表面平行 表面傾斜 表面清潔 頂端設(shè)置 風(fēng)力作用 硅片放置 向下傾斜 重力作用 清洗液 載臺(tái) 去除 連通 承載 清潔 風(fēng)向 | ||
本發(fā)明公開了一種適用于硅片的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備,包括:氮?dú)獍l(fā)生器和載具,載具包括:載臺(tái)和安裝于載臺(tái)上表面的用于承載硅片的若干個(gè)載片,載臺(tái)上表面傾斜且其頂端設(shè)置有與氮?dú)獍l(fā)生器連通的出風(fēng)口,硅片放置于載片上且與載臺(tái)上表面平行,出風(fēng)口的風(fēng)向與豎直方向的夾角A小于硅片所在方向與豎直方向的夾角B。這樣一來,在出風(fēng)的風(fēng)力作用及液體本身的重力作用下,液體會(huì)順著硅片向下流至載臺(tái)上;而且,出風(fēng)相較于硅片向下傾斜,避免將硅片吹起或吹跑。有益之處在于:本發(fā)明的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備適用于對(duì)硅片進(jìn)行表面清潔,去除殘留清洗液和顆粒污染物,具有清潔速度快、效率高、不易有殘留且不易碎片等諸多優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種清潔設(shè)備,具體涉及一種適用于硅片的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備,屬于太陽能技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
硅片是太陽能器件的核心部件,其質(zhì)量好壞直接決定了光伏電池片的轉(zhuǎn)換效率。在生產(chǎn)過程中,硅片依次經(jīng)過切片、倒角、研磨、拋光等多道工序,表面會(huì)受到一些污染,而污染物的存在會(huì)直接導(dǎo)致光轉(zhuǎn)換效率大大降低,因此,對(duì)硅片進(jìn)行清洗以去除其表面的顆粒、金屬離子及有機(jī)物等污染物是十分重要的一個(gè)步驟。
目前,市場(chǎng)上有多種用于太陽能硅片清洗的設(shè)備和工藝,如:超聲清洗法、高壓噴射法、等離子清洗法等,這些方法對(duì)于金屬離子和有機(jī)物的清洗效果顯著,但是清洗后殘留的清洗液無法去除,自然晾干后容易有水漬殘留,而且會(huì)吸附顆粒污染物(如灰塵等)。因而,上述清洗設(shè)備單獨(dú)使用還存在諸多不足,需要配合氮?dú)馇鍧崒⒐杵砻娴臍埩羟逑匆杭皶r(shí)去除,目前主要是通過手持氮?dú)鈽寣?duì)硅片表面進(jìn)行清潔,利用鑷子夾取硅片容易使硅片破碎,而且需要手動(dòng)控制氮?dú)夥较?,操作不方便,氮?dú)鈽尩某鲲L(fēng)口也小,每次吹氣只能吹一小部分,速度很慢,清潔效率很低。鑒于上述原因,有必要開發(fā)一種專門的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備,能夠及時(shí)有效地去除硅片表面的殘留清洗液和顆粒污染物。
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
一種適用于硅片的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備,包括:氮?dú)獍l(fā)生器和載具,所述載具包括:載臺(tái)和安裝于載臺(tái)上表面的用于承載硅片的若干個(gè)載片,所述載臺(tái)上表面傾斜且其頂端設(shè)置有與氮?dú)獍l(fā)生器連通的出風(fēng)口,硅片放置于載片上且與載臺(tái)上表面平行,所述出風(fēng)口的風(fēng)向與豎直方向的夾角A小于硅片所在方向與豎直方向的夾角B。這樣一來,在出風(fēng)的風(fēng)力作用及液體本身的重力作用下,液體會(huì)順著硅片向下流至載臺(tái)上;而且,出風(fēng)相較于硅片向下傾斜,避免將硅片吹起或吹跑。
優(yōu)選地,前述載臺(tái)上表面相對(duì)于水平底面的傾斜角度C為15°~30°,能夠使殘留清洗液在重力作用下更易清除。
優(yōu)選地,前述載片為L(zhǎng)型框體結(jié)構(gòu),包括底承座和側(cè)擋板。
再優(yōu)選地,前述載片的數(shù)量為4個(gè),其中第一對(duì)載片設(shè)置于靠近載臺(tái)底部,第二對(duì)載片設(shè)置于靠近出風(fēng)口處。
進(jìn)一步優(yōu)選地,前述第一對(duì)載片并排設(shè)置且側(cè)擋板所在平面與載臺(tái)的第一豎截面一致,避免硅片向下滑落;所述第二對(duì)載片相對(duì)設(shè)置且側(cè)擋板所在平面與載臺(tái)的第二豎截面一致,從兩側(cè)對(duì)硅片進(jìn)行限位。
再進(jìn)一步優(yōu)選地,前述出風(fēng)口為狹長(zhǎng)型風(fēng)口,清潔速度快,不易有殘留。
更進(jìn)一步優(yōu)選地,前述載臺(tái)和載片均由鐵氟龍制成,具有耐腐蝕、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn),所述載片滑動(dòng)安裝于載臺(tái)上,載片位置能夠調(diào)節(jié),從而適用于不同尺寸的硅片。
更進(jìn)一步優(yōu)選地,前述夾角B比夾角A大3°~8°,既能壓住硅片,又不會(huì)損壞硅片。
更優(yōu)選地,前述載臺(tái)上形成有漏水孔,從而提高清潔效率。
本發(fā)明的有益之處在于:本發(fā)明的氮?dú)馇鍧嵲O(shè)備適用于對(duì)硅片進(jìn)行表面清潔,去除殘留清洗液和顆粒污染物,具有清潔速度快、效率高、不易有殘留且不易碎片等諸多優(yōu)點(diǎn)。
附圖說明
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





