[發明專利]一種分布式存儲區塊訪問電路

有效

• 申請號: 201711100003.2
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107885669B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 詹澤紅;顧明
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明公開了一種分布式存儲區塊訪問電路，所述電路對小容量存儲單元SM采用分布式結構，根據主存儲單元NM存儲單元存儲區塊的個數n，將小容量存儲單元SM劃分為n區塊，利用小容量存儲單元SM行選擇電路消除與區塊選擇信號Ba的相關性，根據小容量存儲單元SM不同的區塊，定制不同區塊的行地址選擇電路，使得在小容量存儲單元和主存儲單元選擇信號axa有效時，行地址選擇信號ra直接選中小容量存儲單元SM中的行地址，本發明可在保證電路分布的均勻性的同時，還方便了客戶對IP的使用。

技術領域

本發明涉及集成電路設計領域，特別是涉及一種分布式存儲區塊訪問電路。

背景技術

嵌入式非易失存儲器(EFLASH MEMORY)通過存儲程序代碼和用戶數據，以其停電還可保存數據的特性而成為嵌入式存儲器中不可或缺的重要組成部分。

而存儲單元是Eflash(embedded flash，嵌入式閃存)IP(Intellectual property知識產權)工作的核心，數據存儲的位置，需要與其他控制模塊一起進行擦寫、存儲數據操作。存儲單元分為normal memory(NM)和supervisory memory(SM)這兩種，NM是用存儲客戶數據/代碼，可進行重復擦寫、存儲，SM是存儲客戶信息及產品信息，不需要重復擦寫，只寫一次。

隨著Eflash IP容量的增大，需要綜合考慮eflash IP性能，包括面積、速度、版圖均勻性分布等，因此設計一個均勻分布存儲單元及簡單訪問電路具有十分重要的現實意義。

傳統存儲單元及地址訪問電路大多采用如圖1所示的方式。如圖1所示，大容量存儲單元NM采用分布式bank的結構，目的是為了提高eflash IP的讀出速度；SM只存儲客戶及產品信息，因其容量小、只寫一次，不需要采用分布式結構。其中bank address(Ba)是用于選擇bank的信號，row address(ra)是行地址選擇信號，supervisory memory selectaddress(axa)是用于選擇SM的信號。當axa＝0，Ba和ra信號一起作用，NM行選擇電路(即訪問電路)開始譯碼；當axa＝1，ra信號選擇SM行地址。這種方法的優點在于客戶讀寫產品信息(即SM存儲單元)，無需進行bank選擇操作，ra信號可直接選中SM中的行地址，但由于存儲單元SM容量與bank容量之間存在差異，使得電路分布不均勻，這會影響不同bank之間的讀寫操作會存在差異，從而降低產品的成品率。

綜上所述，傳統存儲區塊的訪問電路會影響eflash IP的均勻性，從而降低其性能。

發明內容

為克服上述現有技術存在的不足，本發明之目的在于提供一種分布式存儲區塊訪問電路，可在保證電路分布的均勻性的同時，方便客戶對IP的使用。

為達上述及其它目的，本發明提出一種分布式存儲區塊訪問電路，所述電路對小容量存儲單元SM采用分布式結構，根據主存儲單元NM存儲單元存儲區塊的個數n，將小容量存儲單元SM劃分為n區塊，利用小容量存儲單元SM行選擇電路消除與區塊選擇信號Ba的相關性，根據小容量存儲單元SM不同的區塊，定制不同區塊的行地址選擇電路，使得在小容量存儲單元和主存儲單元選擇信號axa有效時，行地址選擇信號ra直接選中小容量存儲單元SM中的行地址。

進一步地，所述電路包括：

小容量存儲單元SM行選擇電路，用于在小容量存儲單元和主存儲單元選擇信號axa的控制下將行地址直接譯碼為小容量存儲單元SM各區塊的小容量存儲單元行選擇信號；

主存儲單元NM區塊選擇電路，用于將區塊選擇信號Ba轉化為主存儲單元NM區塊選擇信號；

主存儲單元NM行選擇電路，用于在小容量存儲單元和主存儲單元選擇信號axa及區塊選擇信號Ba的控制下將行地址Ra譯碼為主存儲單元NM各區塊的行選擇信號；

主存儲單元區塊，包括多個子區塊，用于存儲可擦寫數據；