[發(fā)明專利]利用掩模法制備紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng)的方法及新型量子點顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711099691.5 | 申請日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN109768171A | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付紅兵;張兆儀;張海華;廖清 | 申請(專利權(quán))人: | 首都師范大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
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| 地址: | 100048 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點 紅綠雙色 顯示裝置 陣列系統(tǒng) 顯色 紅光 掩模 綠光像素 像素單元 制備 置換 背光 無機鈣鈦礦 陣列化排布 制備鈣鈦礦 成像功能 藍(lán)光光源 顯示面板 出光率 分辨率 鈣鈦礦 光量子 薄膜 色域 掩膜 覆蓋 | ||
本發(fā)明提供一種利用掩模法制備紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng)的方法及新型量子點顯示裝置。該方法包括:制備綠色鈣鈦礦量子點的溶液;制備鈣鈦礦量子點薄膜;掩膜;通過置換法得到綠光像素單元和紅光像素單元。所述新型量子點顯示裝置包括藍(lán)光光源和紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng),所述紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng)集成了紅綠背光和成像功能,包括綠光像素單元和紅光像素單元,是根據(jù)前述方法制成的。本發(fā)明采用無機鈣鈦礦量子點,在藍(lán)光光致綠光量子點的基礎(chǔ)上,通過掩模與置換相結(jié)合的方式來制備藍(lán)光光致紅光量子點和實現(xiàn)量子點的陣列化排布,實現(xiàn)了量子點顯示裝置的超高清的分辨率,滿足高色域覆蓋的目標(biāo),也使得量子點顯示面板的出光率大大增強。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,涉及一種鈣鈦礦量子點的顯示裝置的制備方法。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,量子點發(fā)光顯示器件越來越受到人們的關(guān)注。量子點(Quantum Dots)是一種尺寸介于1-100nm之間的納米材料,具有帶隙、尺寸可調(diào)以及發(fā)光光譜半波峰寬小等特點。量子點發(fā)光顯示器件(QLED)主要是采用藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)光源照射量子點的方式來激發(fā)綠光及紅光。與其它顯示方式相比,它具有全色域顯示優(yōu)勢,窄頻帶連續(xù)光譜,色彩純度高;它可發(fā)出95%接近于自然光的光,色彩還原能力強,顯色性卓越。此外,它比有機發(fā)光二極管(OLED)的亮度也要更高,而且更省電。由于技術(shù)的簡化,量子點顯示屏采用了穩(wěn)定可靠的無機半導(dǎo)體材料,這降低了生產(chǎn)成本、穩(wěn)定性強、壽命長、不易老化。同時,利用QLED改善LED光源產(chǎn)品的色彩和節(jié)能水平,這對于提升傳統(tǒng)液晶電視和液晶顯示產(chǎn)品品質(zhì)具有極大的幫助。也可以在OLED產(chǎn)品時代未開啟之前,為消費者提供一種更好的“顯示品”選擇。
近年來,量子點材料被廣泛地應(yīng)用在液晶顯示器的背光中。在現(xiàn)行的可見光發(fā)光量子點材料中,最近發(fā)展起來的鈣鐵礦量子點材料CsPb(Xn)3(X1= Br,X2=I,X3=Cl),由于具有很高的發(fā)光效率、很窄的發(fā)光半峰寬(FWHM< 25nm)和可調(diào)控的發(fā)光顏色,受到越來越多的關(guān)注。因此,以鈣鈦礦量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層拓寬了新型LED研究方向,并在照明以及平板顯示領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,涉及一種利用掩模法制備紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng)的方法及新型量子點顯示裝置。本發(fā)明的目的是為了提供具有超高清分辨率的顯示器件。其中,每個所述器件包括藍(lán)光光源、綠光像素單元和紅光像素單元。
本發(fā)明公開一種利用掩模法制備紅綠雙色量子點顯色陣列系統(tǒng)的方法,包括如下步驟:
1)制備綠色鈣鈦礦量子點的溶液:
制備鈣鈦礦量子點分散于不良溶劑所形成的溶液,所述鈣鈦礦量子點能發(fā)出綠色熒光;
2)制備鈣鈦礦量子點薄膜:
將所述溶液甩成具有一厚度的鈣鈦礦量子點薄膜;
3)掩膜:
將帶孔的掩模板覆蓋于所述鈣鈦礦量子點薄膜上,再噴涂一層保護(hù)膜以保護(hù)未被所述掩模板覆蓋的鈣鈦礦量子點,然后揭掉所述掩模板;
4)通過置換法得到綠光像素單元和紅光像素單元:
將前述步驟得到的鈣鈦礦量子點薄膜置入HI置換介質(zhì)中并照射藍(lán)光,從而得到陣列化的綠光像素單元和紅光像素單元,其中所述鈣鈦礦量子點薄膜的由所述保護(hù)膜保護(hù)的部分不發(fā)生置換反應(yīng)因而形成綠光像素單元,所述鈣鈦礦量子點薄膜的未被所述保護(hù)膜保護(hù)的部分發(fā)生置換反應(yīng)因而形成紅光像素單元。
優(yōu)選地,在步驟1)中,所述鈣鈦礦量子點是通過高溫法來制備的,鈣鈦礦量子點的大小為12nm左右。
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