[發明專利]用于傳感器應用的有貫穿端口的半導體封裝體和制造方法

有效

• 申請號: 201711099535.9
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108100985B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 張超發;C·蓋斯勒;B·戈勒;T·基爾格;J·洛德邁爾;D·邁爾;F-X·米爾赫鮑爾;黃志洋;施明計;M·施泰爾特;C·韋希特爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種半導體封裝體，包括：

半導體芯片，所述半導體芯片具有設置在所述半導體芯片的第一側處的傳感器結構；以及

第一端口，所述第一端口從所述第一側穿過所述半導體芯片延伸到所述半導體芯片的與所述第一側相反的第二側，且所述第一端口在所述傳感器結構與外部環境之間提供鏈路，

其中，所述第一端口包括從所述第二側朝向所述第一側延伸并在到達所述傳感器結構之前終止的較大直徑的孔以及從所述第一側朝向所述第二側延伸并設置在所述傳感器結構周圍的多個較小直徑的孔，所述較小直徑的孔在所述半導體芯片的位于所述傳感器結構外的區域中與所述較大直徑的孔敞開式連通。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括附連到所述半導體芯片的所述第一側并覆蓋所述傳感器結構和所述較小直徑的孔的蓋/罩。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括在所述第二側處附連所述半導體芯片的襯底，所述襯底具有至少部分與所述第一端口對正的開口。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括：

附連到所述半導體芯片的所述第一側并覆蓋所述傳感器結構的蓋/罩；以及

包封所述蓋/罩和所述半導體芯片的所述第一側的模制化合物。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括：

附連到所述模制化合物的襯底；以及

從所述半導體芯片的所述第一側穿過所述模制化合物延伸到所述襯底的電導體。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括附連到所述半導體芯片的所述第二側的引線框架，所述引線框架具有至少部分與所述第一端口對正的開口。

7.根據權利要求4所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括：

附連到所述半導體芯片的所述第二側的襯底；

從所述第一側穿過所述半導體芯片在所述傳感器結構外延伸到所述第二側的第二端口；以及

在所述模制化合物中的延伸到所述半導體芯片的所述第一側并至少部分與所述第二端口對正的開口；

其中，所述第二端口與所述第一端口敞開式連通。

8.根據權利要求4所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括延伸穿過所述模制化合物并將所述半導體芯片的接合焊盤連接到所述模制化合物上的再分配層的貫穿模制互連結構。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝體，其中，所述模制化合物和所述貫穿模制互連結構在所述模制化合物的背離所述半導體芯片的一側終止于相同的平坦化水平。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中，所述傳感器結構是MEMS傳感器結構。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括：

附連在所述半導體芯片的所述第一側并覆蓋所述傳感器結構的內插器；以及

包封所述內插器和所述半導體芯片的所述第一側的模制化合物。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝體，其中，所述半導體封裝體還包括在所述模制化合物和所述內插器上的再分配層，所述內插器在所述半導體芯片與所述再分配層之間提供電連接。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝體，其中，所述模制化合物和所述內插器在所述模制化合物的背離所述半導體芯片的一側終止于相同的平坦化水平。