[發明專利]一種NAND串結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201711099532.5
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107863346B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 胡禺石;陶謙;楊號號;董金文;陳俊;肖莉紅;呂震宇
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種NAND串結構，其特征在于，包括垂直貫穿等級層堆棧的通道孔，形成在通道孔內的介質層，形成在介質層內的半導體通道層，形成在半導體通道層內的隔離層，以及形成在通道孔的第一端的塞入層；所述塞入層覆蓋所述介質層、半導體通道層和隔離層，所述塞入層的寬度或直徑大于與其接觸的半導體通道層外壁的寬度或直徑，并且所述塞入層的頂部與所述通道孔的開口齊平。

2.如權利要求1所述的NAND串結構，其特征在于，所述塞入層由導電材料構成，用于使所述NAND串結構與第一結構形成良好的電性接觸。

3.如權利要求2所述的NAND串結構，其特征在于，所述第一結構為其他的NAND串結構，或者所述第一結構為導電觸點。

4.如權利要求1至3中任一項所述的NAND串結構，其特征在于，在所述通道孔的第二端，所述半導體通道層穿過所述介質層，用于與第二結構接觸。

5.如權利要求4所述的NAND串結構，其特征在于，所述第二結構為硅外延層，或者所述第二結構為其他的NAND串結構，或者所述第二結構為導電觸點。

6.如權利要求1至3中任一項所述的NAND串結構，其特征在于，所述等級層堆棧包括多個導體/絕緣體層對。

7.如權利要求6所述的NAND串結構，其特征在于，所述塞入層與所述介質層、半導體通道層和隔離層的接觸界面均高于所述等級層堆棧中的最上層導體層的上表面。

8.一種NAND存儲器，其特征在于，包括權利要求1至7中任一項所述的NAND串結構。

9.如權利要求8所述的NAND存儲器，其特征在于，還包括與所述NAND串結構的塞入層接觸的第一結構，所述第一結構為其他的NAND串結構，或者所述第一結構為導電觸點。

10.如權利要求8或9所述的NAND存儲器，其特征在于，還包括與所述NAND串結構的半導體通道層接觸的第二結構，所述第二結構為硅外延層，或者所述第二結構為其他的NAND串結構，或者所述第二結構為導電觸點。

11.一種NAND串的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成垂直貫穿等級層堆棧的通道孔；

在通道孔內形成介質層、半導體通道層和隔離層；

在通道孔的第一端形成塞入層，所述塞入層覆蓋所述介質層、半導體通道層和隔離層，所述塞入層的寬度或直徑大于與其接觸的半導體通道層外壁的寬度或直徑，并且所述塞入層的頂部與所述通道孔的開口齊平。

12.如權利要求11所述的NAND串的制備方法，其特征在于，在通道孔內形成初始介質層、初始半導體通道層和初始隔離層后，將初始隔離層的上部去除，形成凹陷，得到所述隔離層。

13.如權利要求12所述的NAND串的制備方法，其特征在于，去除所述隔離層頂部以上露出的初始半導體通道層，得到所述半導體通道層。

14.如權利要求12所述的NAND串的制備方法，其特征在于，去除所述隔離層頂部以上露出的初始介質層，得到所述介質層。

15.如權利要求11至14中任一項所述的NAND串的制備方法，其特征在于，所述塞入層由導電材料構成，用于使所述NAND串與第一結構形成良好的電性接觸。

16.如權利要求11至14中任一項所述的NAND串的制備方法，其特征在于，所述塞入層由絕緣材料構成，用作后續工藝的犧牲層。