[發明專利]一種存儲器的柵極連接結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201711099116.5
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107910332A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 張強;陳廣龍;辻直樹
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器的柵極連接結構，其特征在于，該結構由虛擬多晶硅與存儲柵極組成，所述虛擬多晶硅位于存儲柵一定距離外，通過自對準刻蝕在存儲柵極與虛擬多晶硅之間形成平整的選擇柵極，所述選擇柵極區域用來做鎢通孔刻蝕區域。

2.根據權利要求1所述的存儲器的柵極連接結構，其特征在于，所述選擇柵極位于存儲柵極側壁，其形貌為具有一定角度的側墻型多晶硅。

3.根據權利要求1所述的存儲器的柵極連接結構，其特征在于，所述選擇柵在虛擬多晶硅與存儲柵之間形成平坦型可落入鎢通孔的結構。

4.根據權利要求1，所述的存儲器的柵極連接結構，其特征在于，所述多晶硅形成鎢通孔位于淺溝槽隔離氧化層之上。

5.一種存儲器的柵極連接結構的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：

在經過深阱注入的硅基襯底上依次進行預清洗、ONO層沉積、第一多晶硅沉積、硬掩模版氧化硅層沉積、多晶硅離子注入、預清洗、硬掩模板氮化硅層沉積；

光刻膠涂布顯影，僅覆蓋存儲區處用于形成存儲柵的頂部區域；

第一多晶硅經過干法刻蝕后形成存儲區的存儲柵；

通過濕法刻蝕分別去除有源區ONO層的氮化物層和第一氧化物層；

通過預清洗后，氧化進行柵氧化層沉積；

第二多晶硅沉積，所述第二多晶硅覆蓋所有區域，以用于形成存儲區的選擇柵；

第二多晶硅刻蝕，同時形成存儲區的側墻型選擇柵；

通過后續相關工藝后，進行鎢通孔刻蝕。

6.根據權利要求1所述的存儲器的柵極連接結構的形成方法，其特征在于，所述選擇柵在存儲柵側旁為具有一定角度側墻型結構，所述選擇柵在虛擬多晶硅結構與存儲柵之間為平坦型結構。

7.根據權利要求6所述的存儲器的柵極連接結構的形成方法，其特征在于，所述鎢通孔刻蝕分別停止于所述平坦型選擇柵結構與存儲柵上。