[發明專利]掩膜版、存儲器及存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201711098209.6
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN107870508B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;H10B12/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

一基板，所述基板上具有多個第一線形圖案和多個第二線形圖案；其中，

所述第一線形圖案的形狀呈波浪線形并沿著第一方向延伸，所述第二線形圖案沿著第二方向延伸，所述第二線形圖案和所述第一線形圖案的相交處構成交叉點，所述交叉點對準呈波浪線形的所述第一線形圖案的峰點或谷點，并且對準于所述交叉點的所述峰點或所述谷點的形狀呈弧形，呈波浪線形的所述第一線形圖案的所述峰點和所述谷點的形狀呈弧形，同一條呈波浪線形的所述第一線形圖案的所述峰點在所述第一方向上呈一直線行排列且同一條呈波浪線形的所述第一線形圖案的所述谷點在所述第一方向上呈另一直線行排列，多個呈波浪線形的所述第一線形圖案的所述峰點在與同一條所述第二線形圖案相交的所述第二方向上對準呈一直線列排列，且多個呈波浪線形的所述第一線形圖案的所述谷點在與同一條所述第二線形圖案相交的所述第二方向上對準呈另一直線列排列。

2.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二線形圖案為直線形圖案。

3.如權利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的圖案用于定義出一存儲器中的存儲節點接觸，其中，所述存儲節點接觸對應所述交叉點。

4.如權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的圖案還用于定義出所述存儲器中與所述存儲節點接觸連接的電容器，其中，所述電容器對應所述交叉點。

5.一種存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲器的制造方法包括：

提供第一掩膜版，所述第一掩膜版的結構包括如權利要求1～3中任一項所述的掩膜版，以定義出一存儲器中的存儲節點接觸，其中，所述存儲節點接觸對應所述交叉點；及

形成所述存儲節點接觸于一襯底上。

6.如權利要求5所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述存儲節點接觸之前，所述存儲器的制造方法還包括：

提供所述襯底，所述襯底中形成有多個有源區，所述襯底上形成有多根沿第一方向延伸的位線結構及多根沿第二方向延伸的隔離線，所述位線結構包括位線導體及覆蓋所述位線導體的位線隔離層，所述位線結構和所述隔離線在所述襯底上相交并界定出多個接觸窗，且所述有源區中的一個漏極對準一個所述接觸窗；及

形成一連接材料層于所述襯底上，所述連接材料層填充所述接觸窗，并覆蓋所述位線結構及所述隔離線，所述連接材料層與所述漏極電連接。

7.如權利要求6所述的存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述存儲節點接觸的步驟包括：

覆蓋一第一光刻膠層于所述連接材料層上；

利用所述第一掩膜版對所述第一光刻膠層執行光刻工藝，保留所述第一光刻膠層中對應所述第一掩膜版的所述交叉點的部分，以形成一具有第一光刻開口的第一圖案化光刻膠層，所述第一光刻開口暴露出部分所述連接材料層，并且所述第一光刻開口在所述襯底上的投影與所述接觸窗的部分、所述位線結構部分及所述隔離線重疊；

以所述第一圖案化光刻膠層為掩膜，刻蝕所述連接材料層和所述位線隔離層，并刻蝕停止于所述連接材料層中和所述位線隔離層中至所述隔離線的頂面，以形成與所述第一光刻開口相對應的第一開口，所述連接材料層中分別填充在相鄰的所述接觸窗中的部分通過所述第一開口和所述位線隔離層予以相互分隔，以構成所述存儲節點接觸；及

去除所述第一圖案化光刻膠層。

8.如權利要求7所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述存儲節點接觸之后，所述存儲器的制造方法還包括：

填充一節點接觸隔離于所述第一開口內。

9.如權利要求8所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述節點接觸隔離之后，所述存儲器的制造方法還包括：

提供第二掩膜版，所述第二掩膜版的結構包括如權利要求1、2或4所述的掩膜版，以定義出所述存儲器中與所述存儲節點接觸連接的電容器，其中，所述電容器對應所述交叉點；及

形成所述電容器于所述存儲節點接觸上。