[發(fā)明專利]一種快速收集閃存閾值電壓分布的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711098160.4 | 申請日： | 2017-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN107886994A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 席與凌;李強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/50 | 分類號： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 快速 收集 閃存 閾值 電壓 分布 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種快速收集閃存閾值電壓分布的方法，其特征在于，包括下列步驟：
采用預先設定的快速掃描大步長在電壓范圍內進行順序掃描；
掃描過程中自動記錄每步獲得的閃存失效單元數；
根據閃存失效單元數快速自動判斷閃存存儲單元閾值電壓分布起始邊界；
自動轉換至精確掃描用的小步長進行順序掃描，并根據失效單元數得到閃存存儲單元閾值電壓分布截止邊界，并自動停止掃描。
2.根據權利要求1所述的快速收集閃存閾值電壓分布的方法，其特征在于，所述掃描電壓范圍為0V～2.5V。
3.根據權利要求1所述的快速收集閃存閾值電壓分布的方法，其特征在于，所述大步長掃描電壓為0.1V。
4.根據權利要求1所述的快速收集閃存閾值電壓分布的方法，其特征在于，所述小步長掃描電壓為0.01V。
5.根據權利要求1所述的快速收集閃存閾值電壓分布的方法，其特征在于，所述每次掃描的時間為0.1S。
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