[發明專利]一種柔性燒蝕電阻薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201711097969.5
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108106748B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 陳偉;謝鋒;曾世;龔星;白慶星
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: G01K7/16
• 分類號: G01K7/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;何文紅

1.一種柔性燒蝕電阻薄膜，其特征在于，所述柔性燒蝕電阻薄膜包括柔性基底（1）和燒蝕電阻薄膜（8）；所述柔性基底（1）與所述燒蝕電阻薄膜（8）之間設有復合過渡層；所述復合過渡層包含有一交替沉積Si₃N₄層（4）、AlN層（5）和Al₂O₃層（6）的周期性復合薄膜；所述周期性復合薄膜是以柔性基底（1）為基面向外呈現“Si₃N₄層（4）、AlN層（5）到Al₂O₃層（6）”的周期性變化趨勢；所述周期性復合薄膜的周期數為7～10；所述周期性復合薄膜中，所述Si₃N₄層（4）的單層厚度為50nm～150nm，所述AlN層（5）的單層厚度為50nm～150nm，所述Al₂O₃層（6）的單層厚度為50nm～150nm；所述柔性燒蝕電阻薄膜還包括第一緩沖層（3）和第二緩沖層（7）；所述第一緩沖層（3）設于所述柔性基底（1）與所述復合過渡層之間；所述第二緩沖層（7）設于所述復合過渡層與所述燒蝕電阻薄膜（8）之間；所述第一緩沖層（3）為C薄膜；所述第一緩沖層（3）的厚度為50nm～100nm；所述第二緩沖層（7）為Al薄膜；所述第二緩沖層（7）的厚度為50nm～100nm；所述柔性基底（1）為三元乙丙薄膜；所述柔性基底（1）的厚度為0.3mm～0.5mm；所述燒蝕電阻薄膜（8）為電阻率≤30nΩ·m的金屬薄膜；所述金屬薄膜為Au薄膜或Cu薄膜；所述燒蝕電阻薄膜（8）的厚度為3.5μm～4μm。

2.根據權利要求1所述的柔性燒蝕電阻薄膜，其特征在于，所述燒蝕電阻薄膜（8）上設有保護膜（9）；所述保護膜（9）為電介質材料；所述電介質材料為SiO₂薄膜；所述保護膜（9）的厚度為5nm～20nm。

3.一種如權利要求2所述的柔性燒蝕電阻薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、清洗柔性基底（1）；

S2、采用磁控濺射技術在經步驟S1清洗后的柔性基底（1）表面沉積第一緩沖層（3）；

S3、對步驟S2中的第一緩沖層（3）進行真空熱處理；

S4、采用離子束濺射技術在步驟S3經真空熱處理后的第一緩沖層（3）上沉積復合過渡層；

S5、采用離子束濺射技術在步驟S4的復合過渡層上沉積第二緩沖層（7）；

S6、對步驟S5的第二緩沖層（7）進行真空熱處理；

S7、采用離子束濺射技術在步驟S6經真空熱處理后的第二緩沖層（7）上沉積燒蝕電阻薄膜（8）；

S8、采用原子層沉積技術在步驟S7的燒蝕電阻薄膜（8）上沉積保護膜（9），得到柔性燒蝕電阻薄膜。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4具體為：在所述第一緩沖層（3）上依次沉積Si₃N₄層（4）、AlN層（5）、Al₂O₃層（6）形成Si₃N₄/AlN/Al₂O₃復合薄膜，周期性制備Si₃N₄/AlN/Al₂O₃復合薄膜，得到復合過渡層。

5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中，依次對所述柔性基底（1）進行化學清洗、離子束清洗；所述離子束清洗的時間為15min～20min。

6.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述真空熱處理為在真空條件下依次在110℃～130℃下熱處理40 min～60min、140℃～160℃下熱處理2h～3h；所述真空熱處理過程中升溫速率為0.2℃/s～0.4℃/s；

和/或，步驟S6中，所述真空熱處理為在真空條件下依次在100℃～120℃下熱處理30min～50min、140℃～150℃下熱處理1.5 h～2h；所述真空熱處理過程中升溫速率為0.2℃/s～0.4℃/s。