[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件和其上安裝有該多層陶瓷電子組件的板

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• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108461291A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫受煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/224
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;馬翠平

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

多層陶瓷電容器，包括陶瓷主體以及設(shè)置在所述陶瓷主體的第一端表面和第二端表面上的外電極，所述陶瓷主體具有多個介電層以及交替地設(shè)置在所述多個介電層中的相鄰的介電層之間的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；

第一金屬框架和第二金屬框架，分別沿著所述多層陶瓷電容器的第一端表面和第二端表面設(shè)置，并且所述第一金屬框架和所述第二金屬框架均沿著所述多層陶瓷電容器的上表面的一部分和下表面的一部分設(shè)置；以及

絕緣覆蓋件，包圍所述多層陶瓷電容器以及所述第一金屬框架的上部和所述第二金屬框架的上部，

其中，所述第一金屬框架的沿著所述多層陶瓷電容器的所述第一端表面設(shè)置的側(cè)部和所述第二金屬框架的沿著所述多層陶瓷電容器的所述第二端表面設(shè)置的側(cè)部與所述絕緣覆蓋件的外表面接觸，并且所述第一金屬框架的沿著所述多層陶瓷電容器的下表面設(shè)置的下部和所述第二金屬框架的沿著所述多層陶瓷電容器的下表面設(shè)置的下部與所述絕緣覆蓋件分開預定的間隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架分別包括：

第一端子部和第二端子部，沿著所述陶瓷主體的安裝表面設(shè)置；

第一水平部和第二水平部，關(guān)于設(shè)置在所述第一水平部與所述第一端子部之間以及所述第二水平部與所述第二端子部之間的所述陶瓷主體分別與所述第一端子部和所述第二端子部相對，并且分別連接到位于所述陶瓷主體的與所述安裝表面相對的表面上的所述外電極中的相應的一個外電極；以及

第一豎直部和第二豎直部，分別連接所述第一端子部與所述第一水平部以及所述第二端子部與所述第二水平部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架中的每個的上部通過導電粘合劑連接到所述多層陶瓷電容器的所述外電極中的相應的一個外電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層陶瓷電子組件，其中，焊膏層插入在所述絕緣覆蓋件的端部與所述導電粘合劑之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架的所述側(cè)部和所述下部的連接處位于所述絕緣覆蓋件的下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架均具有在50GPa至200GPa范圍內(nèi)的楊氏模量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一金屬框架的所述側(cè)部和所述第二金屬框架的所述側(cè)部分別與所述多層陶瓷電容器的所述第一端表面和所述第二端表面分開，所述絕緣覆蓋件填充所述第一金屬框架的所述側(cè)部與所述多層陶瓷電容器的所述第一端表面之間以及所述第二金屬框架的所述側(cè)部與所述多層陶瓷電容器的所述第二端表面之間的空間。

8.一種具有多層陶瓷電子組件的板組裝件，包括：

板，具有安裝在所述板上的第一電極焊盤和第二電極焊盤；以及

如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，安裝在所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤上，

其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架分別連接到所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的板組裝件，其中，所述第一金屬框架和所述第二金屬框架分別包括：

第一端子部和第二端子部，沿著陶瓷主體的安裝表面設(shè)置；

第一水平部和第二水平部，關(guān)于設(shè)置在所述第一水平部與所述第一端子部之間以及所述第二水平部與所述第二端子部之間的所述陶瓷主體分別與所述第一端子部和所述第二端子部相對，并且分別連接到位于所述陶瓷主體的與所述安裝表面相對的另一表面上的外電極中的相應的一個外電極；以及

第一豎直部和第二豎直部，分別連接所述第一端子部與所述第一水平部以及所述第二端子部與所述第二水平部。