[發(fā)明專利]一種有機薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

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• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN107731882A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐洪遠
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

1.一種有機薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上依次沉積第一金屬層、透明電極層以及光阻層；

利用第一半透光罩進行圖案化處理，以形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極以及像素電極，其中所述源極和所述漏極之間形成有溝道區(qū)；

依次沉積半導(dǎo)體層、絕緣層以及第二金屬層；

利用第二光罩進行圖案化處理，以在所述溝道區(qū)上形成有源層、柵極絕緣層、柵極，所述柵極連接有掃描線；

沉積鈍化層；

利用第三光罩進行圖案化處理，以裸露所述像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述利用第一半透光罩進行圖案化處理的步驟中，所述第一半透光罩包括阻光區(qū)、半透光區(qū)、透光區(qū)，所述圖案化處理包括：

利用第一半透光罩進行曝光、顯影，以使得所述光阻層對應(yīng)所述阻光區(qū)、半透光區(qū)、透光區(qū)分別形成第一厚度區(qū)、第二厚度區(qū)、空區(qū)；

蝕刻以去除所述空區(qū)下方對應(yīng)的所述第一金屬層和所述透明電極層；

進行灰化處理，以使所述第一厚度區(qū)的光阻和所述第二厚度區(qū)的光阻的厚度同步降低直至所述第二厚度區(qū)的光阻被去除；

蝕刻所述第二厚度區(qū)下方對應(yīng)的所述透明電極層以裸露所述第一金屬層進而成形成間隔設(shè)置的所述源極和所述漏極，其中所述溝道區(qū)包括所述源極和所述漏極之間的第一溝道區(qū)及所述源極和所述漏極上方的透明電極層之間的第二溝道區(qū)；

剝離所述第一厚度區(qū)的光阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述利用第二光罩進行圖案化處理的步驟中，所述第二光罩包括透光區(qū)和阻光區(qū)，所述阻光區(qū)與所述溝道區(qū)相對應(yīng)，所述有源層包括填入所述第一溝道區(qū)的第一有源層和填入所述第二溝道區(qū)的第二有源層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層為銀金屬層，所述透明電極層為銦錫氧化物ITO層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在暴露出的所述像素電極上進一步形成有機發(fā)光二極體器件，且以所述像素電極作為所述有機發(fā)光二極體器件的陽極。

6.一種有機薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有由第一金屬層和透明電極層形成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極以及像素電極，其中所述源極和所述漏極之間形成有溝道區(qū)；

所述溝道區(qū)上形成有源層、柵極絕緣層、柵極并延伸形成掃描線；

鈍化層，覆蓋在所述基板上并裸露所述像素電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述溝道區(qū)包括所述源極和所述漏極之間的第一溝道區(qū)及所述源極和所述漏極上方的透明電極層之間的第二溝道區(qū)，所述有源層包括填入所述第一溝道區(qū)的第一有源層和填入所述第二溝道區(qū)的第二有源層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層進一步包括第三有源層，所述第三有源層覆蓋在所述透明電極層的邊緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層為銀金屬層，所述透明電極層為銦錫氧化物ITO層，其中，所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極為銀金屬層和銦錫氧化物ITO層的雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述源極、所述漏極為單層銀金屬層的裸露結(jié)構(gòu)。

10.一種顯示裝置，包括有機薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機薄膜晶體管陣列基板為權(quán)利要求6-9任一項所述的有機薄膜晶體管陣列基板。