[發(fā)明專利]用于三維存儲器的擦除驗(yàn)證方法以及存儲器系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711097517.7
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN109767805B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古紹泓;黃昱閎;程政憲;李致維;鈴木淳弘;蔡文哲
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種用于三維存儲器的擦除驗(yàn)證方法，該三維存儲器包括至少一存儲單元串，該至少一存儲單元串包括多個存儲單元，所述存儲單元包括一第一組存儲單元以及一第二組存儲單元，各所述存儲單元耦接于一字線，該擦除驗(yàn)證方法包括：

對該第一組存儲單元執(zhí)行一第一擦除驗(yàn)證操作；以及

在對該第一組存儲單元執(zhí)行該第一擦除驗(yàn)證操作后，在該第一組存儲單元被驗(yàn)證為擦除成功的情況下，對該第二組存儲單元執(zhí)行一第二擦除驗(yàn)證操作；

其中該第一擦除驗(yàn)證操作包括：

在該第一擦除驗(yàn)證作的一第一階段，施加一擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第一組存儲單元的一第一部份存儲單元的所述字線以及一第一通過電壓至耦接于該第一組存儲單元的一第二部份存儲單元的所述字線，該第一組存儲單元的該第二部份存儲單元不同于該第一組存儲單元的該第一部份存儲單元；以及

在該第一擦除驗(yàn)證作的該第一階段之后，在該第一擦除驗(yàn)證作的一第二階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第一組存儲單元的該第二部份存儲單元的所述字線以及該第一通過電壓至耦接于該第一組存儲單元的該第一部份存儲單元的所述字線；

其中該第二擦除驗(yàn)證操作包括：

在該第二擦除驗(yàn)證作的一第一階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第一部份存儲單元的所述字線以及一第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第二部份存儲單元的所述字線，該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元不同于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元；以及

在該第二擦除驗(yàn)證作的該第一階段之后，在該第二擦除驗(yàn)證作的一第二階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元的所述字線以及該第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元的所述字線。

2.如權(quán)利要求1所述的擦除驗(yàn)證方法，其中該第一組存儲單元彼此相鄰，以及該第二組存儲單元彼此相鄰。

3.如權(quán)利要求1所述的擦除驗(yàn)證方法，其中該第一通過電壓大于該第二通過電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的擦除驗(yàn)證方法，其中所述字線包括交錯排列的多條偶數(shù)字線以及多條奇數(shù)字線，該第一組存儲單元的該第一部份存儲單元連接至耦接于該第一組存儲單元的所述字線的所述奇數(shù)字線，以及該第一組存儲單元的該第二部份存儲單元連接至耦接于該第一組存儲單元的所述字線的所述偶數(shù)字線。

5.如權(quán)利要求1所述的擦除驗(yàn)證方法，其中該第二擦除驗(yàn)證操作包括：

在該第二擦除驗(yàn)證作的一第一階段，施加一擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第一部份存儲單元的所述字線以及一第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第二部份存儲單元的所述字線，該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元不同于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元；以及

在該第二擦除驗(yàn)證作的該第一階段之后，在該第二擦除驗(yàn)證作的一第二階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元的所述字線以及該第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元的所述字線。

6.如權(quán)利要求5所述的擦除驗(yàn)證方法，其中所述字線包括交錯排列的多條偶數(shù)字線以及多條奇數(shù)字線，該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元連接至耦接于該第二組存儲單元的所述字線的所述奇數(shù)字線，以及該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元連接至耦接于該第二組存儲單元的所述字線的所述偶數(shù)字線。

7.如權(quán)利要求1所述的擦除驗(yàn)證方法，更包括：

在該第一組存儲單元被驗(yàn)證為擦除不成功或該第二組存儲單元被驗(yàn)證為擦除不成功的情況下，提高一擦除電壓；以及

施加該提高的擦除電壓以擦除該至少一存儲單元串。

8.一種存儲器系統(tǒng)，包括：

一三維存儲器，包括垂直延伸通過該三維存儲器的多層的至少一存儲單元串，該至少一存儲單元串包括多個存儲單元，所述存儲單元包括一第一組存儲單元及一第二組存儲單元，各所述存儲單元耦接于一字線；以及

一控制器，耦接于該三維存儲器，用以對該第一組存儲單元執(zhí)行一第一擦除驗(yàn)證操作，以及在對該第一組存儲單元執(zhí)行該第一擦除驗(yàn)證操作后，該第一組存儲單元被驗(yàn)證為擦除成功的情況下，對該第二組存儲單元上執(zhí)行一第二擦除驗(yàn)證操作；

其中該第一擦除驗(yàn)證操作包括：

在該第一擦除驗(yàn)證作的一第一階段，施加一擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第一組存儲單元的一第一部份存儲單元的所述字線以及一第一通過電壓至耦接于該第一組存儲單元的一第二部份存儲單元的所述字線，該第一組存儲單元的該第二部份存儲單元不同于該第一組存儲單元的該第一部份存儲單元；以及

在該第一擦除驗(yàn)證作的該第一階段之后，在該第一擦除驗(yàn)證作的一第二階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第一組存儲單元的該第二部份存儲單元的所述字線以及該第一通過電壓至耦接于該第一組存儲單元的該第一部份存儲單元的所述字線；

其中該第二擦除驗(yàn)證操作包括：

在該第二擦除驗(yàn)證作的一第一階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第一部份存儲單元的所述字線以及一第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的一第二部份存儲單元的所述字線，該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元不同于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元；以及

在該第二擦除驗(yàn)證作的該第一階段之后，在該第二擦除驗(yàn)證作的一第二階段，施加該擦除驗(yàn)證電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第二部份存儲單元的所述字線以及該第二通過電壓至耦接于該第二組存儲單元的該第一部份存儲單元的所述字線。