[發(fā)明專利]刻蝕工藝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711097030.9
• 申請(qǐng)日: 2017-11-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108091556B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭享;羅永堅(jiān);荊泉;任昱;呂煜坤;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 31211 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭四華<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.一種刻蝕工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、確定晶圓假片上的被刻蝕材料層在干法刻蝕工藝腔中的刻蝕速率分布，找出所述晶圓假片上的干法刻蝕速率最低的區(qū)域位置；

在所述干法刻蝕工藝腔中包括有真空閥門，所述晶圓假片上的干法刻蝕速率最低的區(qū)域位置位于所述真空閥門的對(duì)側(cè)的邊緣區(qū)域；

步驟二、確定所述晶圓假片上的所述被刻蝕材料層在濕法刻蝕工藝設(shè)備中的刻蝕速率分布，找出所述晶圓假片上的濕法刻蝕速率最高的區(qū)域位置；

步驟三、對(duì)晶圓產(chǎn)品片的被刻蝕材料層進(jìn)行如下刻蝕：

步驟31、將所述晶圓產(chǎn)品片放置在所述干法刻蝕工藝腔中進(jìn)行干法刻蝕；

步驟32、所述干法刻蝕完成之后將所述晶圓產(chǎn)品片從所述干法刻蝕工藝腔取出并將所述晶圓產(chǎn)品片轉(zhuǎn)動(dòng)一固定角度進(jìn)行角度定位，所述固定角度使所述晶圓產(chǎn)品片上的干法刻蝕速率最低的區(qū)域定位在后續(xù)濕法刻蝕中濕法刻蝕速率最高的區(qū)域；

步驟33、將進(jìn)行了角度定位的所述晶圓產(chǎn)品片放置所述濕法刻蝕工藝設(shè)備中進(jìn)行濕法刻蝕，在所述濕法刻蝕中，所述濕法刻蝕速率最高的區(qū)域定位于所述干法刻蝕速率最低的區(qū)域，防止所述晶圓產(chǎn)品片上的被刻蝕材料層殘留。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓假片和所述晶圓產(chǎn)品片都為硅襯底晶圓。

3.如權(quán)利要求1所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓假片和所述晶圓產(chǎn)品片的被刻蝕材料層都為多晶硅層。

4.如權(quán)利要求1或3所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟二中，濕法刻蝕速率和所述濕法刻蝕工藝設(shè)備中的刻蝕液的流動(dòng)速率相關(guān)，所述晶圓假片上的濕法刻蝕速率最高的區(qū)域位置位于刻蝕液的流動(dòng)速率最低的區(qū)域。

5.如權(quán)利要求1所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述真空閥門隔離在所述干法刻蝕工藝腔和傳輸腔之間，在所述真空閥門打開(kāi)時(shí)，晶圓通過(guò)機(jī)械手臂在所述干法刻蝕工藝腔和所述傳輸腔之間傳輸；在所述干法刻蝕工藝腔進(jìn)行干法刻蝕過(guò)程中，所述真空閥門關(guān)閉；所述晶圓為所述晶圓假片或所述晶圓產(chǎn)品片。

6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓假片上的干法刻蝕速率最低的區(qū)域位置的刻蝕速率比平均干法刻蝕速率低4.5％。

7.如權(quán)利要求4所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓假片上的濕法刻蝕速率最高的區(qū)域位置的刻蝕速率比平均濕法刻蝕速率高10％。

8.如權(quán)利要求4所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟二中，所述晶圓假片上還存在濕法刻蝕速率最低的區(qū)域，該區(qū)域位置位于刻蝕液的流動(dòng)速率最高的區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓假片上的濕法刻蝕速率最低的區(qū)域位置的刻蝕速率比平均濕法刻蝕速率低8％。

10.如權(quán)利要求5所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：干法刻蝕設(shè)備還包括定位腔，在將所述晶圓傳輸?shù)剿鰝鬏斍恢埃瑢⑺鼍A放置在所述定位腔中進(jìn)行干法刻蝕前定位。

11.如權(quán)利要求10所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述干法刻蝕設(shè)備還包括晶圓加載腔，晶圓傳輸盒放置在所述晶圓加載腔中，通過(guò)機(jī)械手將所述晶圓從放置在所述晶圓加載腔中的所述晶圓傳輸盒中取出或放回。

12.如權(quán)利要求11所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟32中的所述角度定位在所述定位腔中進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求12所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟32的所述角度定位完成后，通過(guò)機(jī)械手將對(duì)應(yīng)的所述晶圓產(chǎn)品片取出并放回到所述晶圓傳輸盒中。

14.如權(quán)利要求13所述的刻蝕工藝方法，其特征在于：所述晶圓傳輸盒從所述干法刻蝕設(shè)備的所述晶圓加載腔取出后移動(dòng)到所述濕法刻蝕工藝設(shè)備上，并將所述晶圓傳輸盒中的所述晶圓產(chǎn)品片取出進(jìn)行濕法刻蝕。