[發明專利]存儲器模塊、存儲器系統和操作存儲器系統的方法

有效

• 申請號: 201711096816.9
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN108121617B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 辛薰;車相彥;柳睿信;趙誠珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/04;G11C29/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗;蔡軍紅

1.一種存儲器模塊，包括：

多個數據存儲器，存儲包括多個數據集的用戶數據，每個數據集對應于多個突發長度；和

至少一個奇偶校驗存儲器，存儲基于用戶數據生成的多個奇偶校驗位，其中：

所述多個數據存儲器中的每一個包括：第一存儲單元陣列，其包含第一存儲區域和第二存儲區域，其中，所述第一存儲區域存儲每個數據集，所述第二存儲區域存儲用于執行每個數據集的第一錯誤檢測/校正的第一奇偶校驗位，

所述至少一個奇偶校驗存儲器包括：第二存儲單元陣列，其包括第一奇偶校驗區域和第二奇偶校驗區域，所述第一奇偶校驗區域存儲用于執行用戶數據的第二錯誤檢測/校正的多個第三奇偶校驗位，所述第二奇偶校驗區域存儲用于執行所述多個第三奇偶校驗位的第三錯誤檢測/校正的第二奇偶校驗位。

2.如權利要求1所述的存儲器模塊，其中：

所述第一奇偶校驗位用于檢測所述多個數據存儲器中的一個或多個中的錯誤，以及

所述第三奇偶校驗位用于校正在所述多個數據存儲器中的一個或多個中檢測到的錯誤。

3.如權利要求2所述的存儲器模塊，其中，所述多個數據存儲器中的一個或多個中的錯誤是：

在向所述多個數據存儲器中的每一個發送每個數據集時出現的傳輸錯誤，或

在每個數據集被存儲到所述多個數據存儲器的每一個中時出現的存儲錯誤。

4.如權利要求1所述的存儲器模塊，其中，所述多個數據存儲器中的每一個包括：

循環冗余校驗(CRC)校驗器，用于基于每個數據集計算數據校驗位，比較所述數據校驗位和所述第一奇偶校驗位，并且基于比較結果選擇性地將每個數據集存儲到所述第一存儲區域中。

5.如權利要求4所述的存儲器模塊，其中，所述CRC校驗器用于：

當基于比較結果所述數據校驗位或所述第一奇偶校驗位的對應位中的至少一個不相等時，向存儲器控制器發送警報信號；以及

再次從所述存儲器控制器接收每個數據集和所述第一奇偶校驗位。

6.如權利要求1所述的存儲器模塊，其中，所述多個數據存儲器中的每一個包括：

糾錯碼(ECC)引擎，包括循環冗余校驗(CRC)校驗器，所述CRC校驗器用于基于每個數據集計算數據校驗位，比較所述數據校驗位和所述第一奇偶校驗位，并且基于比較結果選擇性地將所述數據集存儲到所述第一存儲區域中。

7.如權利要求6所述的存儲器模塊，其中，所述ECC引擎包括：

ECC解碼器，用于在所述數據存儲器的讀取操作中基于從所述第二存儲區域讀取的所述第一奇偶校驗位來校正從所述第一存儲區域讀取的數據集的錯誤。

8.如權利要求7所述的存儲器模塊，其中，所述CRC校驗器和所述ECC解碼器使用相同的糾錯碼。

9.如權利要求1所述的存儲器模塊，其中：

所述第一存儲單元陣列和所述第二存儲單元陣列中的每一個包括多個動態存儲單元或多個電阻型存儲單元，

所述第一存儲單元陣列和所述第二存儲單元陣列中的每一個包括三維存儲單元陣列，以及

所述存儲器模塊包括雙列直插存儲器模塊(DIMM)。