[發(fā)明專利]處理腔室、半導(dǎo)體制造設(shè)備以及其校正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711096103.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109767998B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃煜倫;陳彥羽;吳清嘉;廖維貞;林群智 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;王芝艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 半導(dǎo)體 制造 設(shè)備 及其 校正 方法 | ||
1.一種處理腔室,包含:
一承載臺(tái),用以承載一半導(dǎo)體元件;以及
一校正器,安裝于該承載臺(tái),其中該校正器具有多個(gè)指標(biāo);
其中,該半導(dǎo)體元件的一下表面是設(shè)置于該承載臺(tái)與該校正器上,并且所述多個(gè)指標(biāo)是用以指示出該半導(dǎo)體元件與該承載臺(tái)之間的一偏移位移;
其中該校正器設(shè)置于該半導(dǎo)體元件以及該承載臺(tái)之間并且實(shí)體上地接觸該下表面。
2.如權(quán)利要求1所述的處理腔室 ,其中該承載臺(tái)形成有多個(gè)卡合槽,該校正器具有對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)卡合槽的多個(gè)凸出結(jié)構(gòu),用以卡合于所述多個(gè)卡合槽,以使該校正器安裝于該承載臺(tái)。
3.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備,包含:
一處理腔室,包含:
一承載臺(tái),用以承載一半導(dǎo)體元件;以及
一校正器,連接于該承載臺(tái),其中該校正器具有多個(gè)指標(biāo);
一影像擷取裝置,用以擷取關(guān)于該半導(dǎo)體元件以及該校正器的一影像,以產(chǎn)生一影像信號(hào);以及
一控制裝置,用以根據(jù)所述多個(gè)指標(biāo)以及該影像信號(hào),決定該半導(dǎo)體元件的中心是否對(duì)位于該承載臺(tái)的中心,并且當(dāng)該半導(dǎo)體元件的中心偏離該承載臺(tái)的中心時(shí),該控制裝置決定該半導(dǎo)體元件與該承載臺(tái)之間的一偏移位移;
其中該承載臺(tái)形成有多個(gè)卡合槽,該校正器具有對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)卡合槽的多個(gè)凸出結(jié)構(gòu),用以卡合于所述多個(gè)卡合槽,以使該校正器以可替換的方式安裝于該承載臺(tái)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備,其中所述多個(gè)指標(biāo)的每一者具有多個(gè)標(biāo)示組,每一標(biāo)示組具有多個(gè)標(biāo)示點(diǎn),并且所述多個(gè)標(biāo)示組中任一者內(nèi)相鄰的兩個(gè)標(biāo)示點(diǎn)之間具有一固定間隔。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備,其中當(dāng)該半導(dǎo)體元件的中心對(duì)位于該承載臺(tái)的中心時(shí),最靠近該半導(dǎo)體元件的所述多個(gè)標(biāo)示點(diǎn)由垂直于該半導(dǎo)體元件的方向觀看時(shí)對(duì)齊于該半導(dǎo)體元件的邊緣。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備,其中該校正器的相鄰兩個(gè)指標(biāo)之間具有一夾角,且每一夾角的角度皆相等。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備,其中所述多個(gè)指標(biāo)中兩個(gè)相反設(shè)置的指標(biāo)之間具有一間隔距離,且該間隔距離等于該半導(dǎo)體元件的直徑,其中該兩個(gè)相反設(shè)置的指標(biāo)之間的夾角為180度。
8.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備,其中該校正器具有一外徑,該外徑大于該半導(dǎo)體元件的直徑。
9.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備的校正方法,包含:
運(yùn)送一半導(dǎo)體元件至一承載臺(tái)上,其中該承載臺(tái)上設(shè)置有一校正器,且該校正器具有多個(gè)指標(biāo),其中該校正器設(shè)置于該半導(dǎo)體元件以及該承載臺(tái)之間并且實(shí)體上地接觸該半導(dǎo)體元件的一下表面;
擷取關(guān)于該半導(dǎo)體元件與該校正器的一影像并對(duì)應(yīng)地產(chǎn)生一影像信號(hào);
根據(jù)所述多個(gè)指標(biāo)以及該影像信號(hào)決定該半導(dǎo)體元件的中心是否對(duì)位于該承載臺(tái)的中心;以及
當(dāng)該半導(dǎo)體元件的中心偏離該承載臺(tái)的中心時(shí),決定該半導(dǎo)體元件與該承載臺(tái)之間的一偏移位移。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備的校正方法,該校正方法還包括:
根據(jù)該偏移位移以及一參考數(shù)據(jù),產(chǎn)生一控制信號(hào);以及
根據(jù)該控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體元件或另一半導(dǎo)體元件移動(dòng)并設(shè)置于該承載臺(tái),以使該半導(dǎo)體元件的中心或另一半導(dǎo)體元件的中心對(duì)位于該承載臺(tái)的中心。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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