[發(fā)明專利]具有微控制單元的電子測溫設(shè)備的自動校準(zhǔn)方法及設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711096026.0 | 申請日： | 2017-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN107884096B | 公開（公告）日： | 2019-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤矽科微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01K15/00 | 分類號： | G01K15/00;G01K7/22;G01K7/16;G01K13/00 |
| 代理公司： | 31002 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 控制 單元 電子 測溫 設(shè)備 自動 校準(zhǔn) 方法 | ||
1.一種具有微控制單元的電子測溫設(shè)備的自動校準(zhǔn)方法，所述的具有微控制單元的電子測溫設(shè)備處于恒溫的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中，其特征在于，所述的自動校準(zhǔn)方法具體包括以下步驟：
(1)所述的電子測溫設(shè)備以內(nèi)置的基準(zhǔn)電阻的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)XRF為依據(jù)，確定當(dāng)前測試電阻的測試振蕩次數(shù)XRS；
(2)所述的微控制單元根據(jù)如下方程組進行計算：
其中，所述的A與C均為已知常數(shù)，A為所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在所述的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)的理論振蕩次數(shù)區(qū)間中的理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)，C為所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在所述的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)的理論振蕩次數(shù)區(qū)間中的中間值，即所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在所述的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)最佳理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)，X’RS為實際校準(zhǔn)過程中所述的測試電阻的實際振蕩次數(shù)，該測試電阻的實際振蕩次數(shù)X’RS為步驟(1)中所述的當(dāng)前測試電阻的測試振蕩次數(shù)XRS，X’RF為實際校準(zhǔn)過程中所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)，RRF為所述的基準(zhǔn)電阻的理論阻值，RRS為所述的測試電阻的理論阻值；
所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)等于所述的測試電阻的實際振蕩次數(shù)，即：
X′RS＝X′RF；
(3)通過上述步驟(2)的方程組求出所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)X’RF：
(4)用所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)X’RF替換所述的內(nèi)置的基準(zhǔn)電阻的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)XRF，將X’RF作為新的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)存入所述的微控制單元，完成所述的電子測溫設(shè)備的校準(zhǔn)工作。
2.一種具有微控制單元并實現(xiàn)自動校準(zhǔn)功能的電子測溫設(shè)備，其特征在于，所述的電子測溫設(shè)備包括：
自動校準(zhǔn)程序，所述的微控制單元在自動校準(zhǔn)過程中運行所述的自動校準(zhǔn)程序進行如下自動校準(zhǔn)步驟處理：
(1)以內(nèi)置的基準(zhǔn)電阻的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)XRF為依據(jù)，確定當(dāng)前測試電阻的測試振蕩次數(shù)XRS；
(2)根據(jù)如下方程組進行計算：
其中，所述的A與C均為已知常數(shù)，A為所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)的理論振蕩次數(shù)區(qū)間中的理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)，C為所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在所述的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)的理論振蕩次數(shù)區(qū)間中的中間值，即所述的基準(zhǔn)電阻在無誤差時，在所述的預(yù)置的測試環(huán)境溫度中對應(yīng)最佳理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)，X’RS為實際校準(zhǔn)過程中所述的測試電阻的實際振蕩次數(shù)，該測試電阻的實際振蕩次數(shù)X’RS為步驟(1)中所述的當(dāng)前測試電阻的測試振蕩次數(shù)XRS，X’RF為實際校準(zhǔn)過程中所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)，RRF為所述的基準(zhǔn)電阻的理論阻值，RRS為所述的測試電阻的理論阻值；
所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)等于所述的測試電阻的實際振蕩次數(shù)，即：
X′RS＝X′RF；
(3)通過上述步驟(2)的方程組求出所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)X’RF：
(4)用所述的基準(zhǔn)電阻的實際振蕩次數(shù)X’RF替換所述的內(nèi)置的基準(zhǔn)電阻的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)XRF，將X’RF作為新的當(dāng)前理論基準(zhǔn)振蕩次數(shù)存入所述的微控制單元，完成所述的電子測溫設(shè)備的校準(zhǔn)工作。
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