[發明專利]一種基有低通濾波處理的光控燈信號抗干擾式處理系統

在審

• 申請號: 201711092596.2
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN107734775A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 余泓德
• 申請（專利權）人: 成都塞普奇科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08;G08C23/04;H04B15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基有低通濾波處理的光控燈信號抗干擾式處理系統，其特征在于，主要由處理芯片U，三極管VT1，串接處理芯片U的FDBK管腳與三極管VT1的集電極之間的信號偏置校正電路，N極與處理芯片U的FDBK管腳相連接、P極經電阻R6后與處理芯片U的COM管腳相連接的二極管D2，P極經電阻R7后與處理芯片U的VNEG管腳相連接、N極與三極管VT1的基極相連接的二極管D3，與處理芯片U的GNEG管腳相連接的低通濾波電路，串接在低通濾波電路與處理芯片U的VINP管腳之間的差分放大電路，分別與三極管VT1的發射極和處理芯片U相連接的信號發射調理電路，以及與信號發射調理電路相連接的抗電磁波干擾電路組成；所述三極管VT1的集電極與處理芯片U的FDBK管腳相連接；所述抗電磁波干擾電路由場效應管MOS101，場效應管MOS102，放大器P101，正極與場效應管MOS101的漏極相連接、負極接地的極性電容C101，P極與極性電容C101的負極相連接、N極經可調電阻R101后與放大器P101的負極相連接的二極管D101，一端與場效應管MOS101的柵極相連接、另一端與場效應管MOS102的漏極相連接的電感L101，正極經電阻R102后與二極管D101的N極相連接、負極與放大器P101的輸出端相連接后接地的極性電容C102，N極與場效應管MOS102的源極相連接、N極經電阻R103后與場效應管MOS102的柵極相連接的二極管D102，一端與二極管D102的P極相連接、另一端與放大器P101的輸出端相連接的電感L102，以及一端與場效應管MOS102的柵極相連接、另一端與放大器P101的輸出端相連接的電感L103組成；所述場效應管MOS101的漏極與信號發射調理電路相連接，該場效應管MOS101的源極與外部電源相連接；所述場效應管MOS102的柵極還與放大器P101的正極相連接；所述放大器P101的輸出端作為抗電磁波干擾電路的輸出端。

2.根據權利要求1所述的一種基有低通濾波處理的光控燈信號抗干擾式處理系統，其特征在于，所述信號偏置校正電路由三極管VT3，三極管VT4，正極經可調電阻R23后與三極管VT4的基極相連接、負極作為信號偏置校正電路的輸入端并與處理芯片U的FDBK管腳相連接的極性電容C15，正極經電阻R20后與極性電容C15的負極相連接、負極接地的極性電容C14，N極可調電阻R25后與三極管VT4的集電極相連接、P極經電阻R22后與極性電容C14的負極相連接的二極管D9，負極與三極管VT3的基極相連接、正極與極性電容C15的負極相連接的極性電容C16，N極與三極管VT3的集電極相連接、P極經電阻R21后與極性電容C16的正極相連接的二極管D7，P極經電阻R26后與三極管VT4的發射極相連接、N極作為信號偏置校正電路的輸出端并與三極管VT1的集電極相連接的二極管D8，以及正極經電阻R24后與三極管VT3的集電極相連接、負極經電阻R27后與二極管D8的N極相連接的極性電容C17組成；所述三極管VT3的發射極與可調電阻R23的可調端相連接。

3.根據權利要求2所述的一種基有低通濾波處理的光控燈信號抗干擾式處理系統，其特征在于，所述差分放大電路由放大器P3，放大器P4，三極管VT2，正極經電阻R13后與放大器P3的正極相連接、負極作為差分放大電路的輸入端并與低通濾波電路相連接的極性電容C10，N極與三極管VT2的基極相連接、P極順次經電感L后與放大器P3的負極相連接的二極管D5，正極電阻R15后與三極管VT2的集電極相連接、負極經電阻R14后與放大器P3的負極相連接的極性電容C11，正極經電阻R16后與三極管VT3的發射極相連接、負極與放大器P4的正極相連接的極性電容C12，正極經電阻R17后與放大器P4的正極相連接、負極接地的極性電容C13，以及P極經電阻R18后與放大器P4的負極相連接、N極經電阻R19后與放大器P4的輸出端相連接的二極管D6組成；所述極性電容C12的正極與放大器P3的輸出端相連接；所述極性電容C11的負極接地；所述二極管D6的P極接地；所述放大器P4的輸出端作為差分放大電路輸出端并與處理芯片U的VINP管腳相連接。