[發明專利]半導體結構的形成方法在審
| 申請號： | 201711092274.8 | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN109585291A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 沙哈吉·B·摩爾;李承翰;潘正揚;王俊杰;張世杰;楊懷德 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;王芝艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應變溝道 硅鍺 搭配 等離子體 半導體結構 熱處理 成長缺陷 處理循環 硅籽晶層 結構變形 三氟化氮 溝道區 預烘烤 預清潔 籽晶層 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構的形成方法，包括：
提供一摻雜區于一基板的頂部上；
成長一第一外延層于該摻雜區上；
形成一凹陷于該第一外延層中，且該凹陷對準該摻雜區，其中形成該凹陷的步驟包括部分蝕刻該第一外延層；
進行一或多道的表面預清潔處理循環，其中每一表面預清潔處理循環包括：
暴露該凹陷至一等離子體；以及
進行一回火；以及
形成一第二外延層于該凹陷中，其中形成該第二外延層的步驟包括：
在一第一溫度下進行預烘烤；
在一第二溫度下形成一籽晶層于該凹陷中；以及
在一第三溫度下形成該第二外延層于該籽晶層上，以填滿該凹陷。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711092274.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件及其形成方法
- 下一篇：半導體裝置及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
