[發(fā)明專(zhuān)利]一種鋁襯墊的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711091689.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107706093A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳佳宏;周惟舜;張志剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種鋁襯墊的制造方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：采用物理氣相沉積法淀積得到鋁襯墊；

步驟S2：對(duì)所述鋁襯墊進(jìn)行刻蝕；

步驟S3：采用化學(xué)氣相沉積法淀積一層覆蓋層；

步驟S4：通過(guò)干法刻蝕工藝對(duì)所述覆蓋層進(jìn)行刻蝕；

步驟S5：采用濕法清洗所述覆蓋層；

步驟S6：采用等離子體濺射轟擊所述鋁襯墊的表面以去除氟原子；

步驟S7：采用氧氣作為氣源對(duì)所述鋁襯墊進(jìn)行退火處理以在所述鋁襯墊表面形成氧化鋁薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，在所述步驟S6前，還包括預(yù)處理步驟：

步驟A1：將所述鋁襯墊置于惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行加熱處理；

步驟A2：對(duì)所述鋁襯墊進(jìn)行退火處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟A1中，進(jìn)行加熱處理的加熱溫度為150攝氏度至400攝氏度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟A1中，所述惰性氣體環(huán)境為氬氣環(huán)境。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟A1中，進(jìn)行加熱預(yù)處理的時(shí)間是15秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟A2中，進(jìn)行退火處理的氣源為氬氣或氦氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟A2中，進(jìn)行退火處理的時(shí)間為10秒至100秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟S6中，所述等離子體的濺射功率為100W至1000W，所述等離子體的濺射時(shí)間為10秒至500秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，等離子體為氬離子為惰性氣體的等離子體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁襯墊的制造方法，其特征在于，所述步驟S7中，進(jìn)行退火處理的時(shí)間為10秒至100秒。