[發明專利]一種根據射頻時數改善一體化刻蝕工藝面內均勻性的方法

有效

• 申請號: 201711091683.6
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN107958838B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 周磊;聶鈺節
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種根據射頻時數改善一體化刻蝕工藝面內均勻性的方法，應用于微電子制造領域，其特征在于，在機臺端加設一刻蝕氣體的供應管道，所述供應管道上裝有質量流量控制器，通過質量流量控制器的控制向刻蝕腔體提供刻蝕氣體，包括以下步驟：

步驟S1，獲取所述刻蝕腔體的射頻時數與刻蝕速率的關系；

步驟S2，獲取所述射頻時數與所述刻蝕氣體的供氣量的參數關系；

步驟S3，獲取當前的所述射頻時數，依據所述射頻時數與所述刻蝕速率之間的關系獲取當前的刻蝕速率，并將當前的所述刻蝕速率作為目標值輸出；

步驟S4，于所述當前的射頻時數下，通過調節所述刻蝕氣體的供氣量的參數穩定所述刻蝕速率至所述目標值；

所述步驟S2中所述參數關系通過以下步驟獲?。?/p>

步驟S21，通過改變所述刻蝕氣體的供氣量，獲取對應的刻蝕速率，確定所述刻蝕速率與所述刻蝕氣體的供氣量的第一關系函數；

步驟S22、根據所述第一關系函數得出所述刻蝕氣體的供氣量對刻蝕速率的阻擋能力的第二關系函數；

步驟S23、根據所述第二關系函數以及所述步驟S1中射頻時數與刻蝕速率的關系，確定所述刻蝕腔體的射頻時數與刻蝕氣體的供氣量的參數關系。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中所述關系通過以下步驟獲?。?/p>

步驟S11，收集刻蝕過程中所述刻蝕腔體的射頻時數與所述刻蝕速率一一對應的離散值；

步驟S12，根據所述離散值繪出所述關系的函數曲線；

步驟S13，通過對所述函數曲線進行擬合，得到關系函數。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述關系函數為：

V_RF＝F(RF),

式中，V_RF為刻蝕速度，RF為刻蝕腔體的射頻時數。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲得的所述第一關系函數為：

V_RF＝F(V_氣),

式中，V_RF為刻蝕速率，V_氣為刻蝕氣體的供氣量。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二關系函數為：

V_阻＝F(V_氣)，

式中，V_阻為刻蝕氣體的阻擋能力，V_氣為刻蝕氣體的供氣量。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕腔體的射頻時數與刻蝕氣體的供氣量的參數關系為：

F(V_氣)＝F(RF)-V_固，

式中，V_氣為刻蝕氣體的供氣量，RF為刻蝕腔體的射頻時數，V_固為刻蝕速度目標值。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為CF₄或C₄F₈。