[發明專利]一種熱膨脹系數高通量檢測裝置及其控制方法

在審

• 申請號: 201711091586.7
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN107621475A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 向勇;稅烺;張曉晴
• 申請（專利權）人: 北京亦莊材料基因研究院有限公司
• 主分類號: G01N25/16
• 分類號: G01N25/16
• 代理公司: 北京創遇知識產權代理有限公司11577
• 代理人: 李芙蓉,馮建基

1.一種熱膨脹系數高通量檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括激光發射器、半反射透鏡、加熱臺以及電荷耦合器件攝像機，其中：

所述加熱臺上放置待測樣品，所述加熱臺產生熱量，以加熱所述待測樣品，并使得所述待測樣品發生膨脹；

所述激光發射器發射出的光線抵達所述半反射透鏡后，分別產生反射光和透射光；所述反射光反射至所述電荷耦合器件攝像機中，所述透射光在所述待測樣品表面發生反射后也反射至所述電荷耦合器件攝像機中。

2.根據權利要求1所述的熱膨脹系數高通量檢測裝置，其特征在于，所述裝置還包括控制主機，所述控制主機分別與所述激光發射器、加熱臺以及電荷耦合器件攝像機相連，其中：

所述控制主機用于向所述激光發射器傳輸激光器控制信號，以控制所述激光發射器的位置和角度；

所述控制主機還用于向所述加熱臺發送加熱控制信息，以調節所述加熱臺的加熱溫度；

所述控制主機還用于從所述電荷耦合器件攝像機處獲取干涉信號。

3.根據權利要求2所述的熱膨脹系數高通量檢測裝置，其特征在于，所述加熱臺中還設置有溫度傳感設備，所述溫度傳感設備用于將所述加熱臺當前的加熱溫度反饋給所述控制主機。

4.一種應用于權利要求1至3中任一項所述檢測裝置中的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

激光發射器發射激光，所述激光到達半反射透鏡后，生成反射光和透射光；

所述反射光傳輸進入電荷耦合器件攝像機，所述透射光通過放置于加熱臺上的待測樣品的表面反射后也進入所述電荷耦合器件攝像機；其中，所述加熱臺通過預先設定的溫度加熱所述待測樣品，以使得所述待測樣品發生膨脹；

所述反射光與所述透射光產生的反射光在所述電荷耦合器件攝像機內發生干涉，所述電荷耦合器件攝像機記錄對應的干涉條紋的位置。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述激光發射器接收控制主機發送來的激光器控制信號，并根據所述激光器控制信號調節當前的位置和發射激光的角度。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述加熱臺接收控制主機發來的加熱控制信號，并將對所述待測樣品加熱的溫度設置為所述加熱控制信號指定的溫度；

所述加熱臺將當前的加熱溫度反饋至所述控制主機。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述電荷耦合器件攝像機生成包含干涉條紋位置的干涉信號，并將所述干涉信號發送至控制主機。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

將所述加熱臺的加熱溫度調節為另一個溫度，并在所述另一個溫度下，通過所述電荷耦合器件攝像機再次記錄對應的干涉條紋的位置；

將原先記錄的干涉條紋的位置與再次記錄的干涉條紋的位置進行對比，得到干涉條紋的位置變化值，并基于所述干涉條紋的位置變化值，計算所述待測樣品的熱膨脹系數。

9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在對所述待測樣品表面上的一個區域完成檢測后，所述方法還包括：

調節所述激光發射器的角度，以使得所述激光發射器發射的激光通過所述半反射透鏡產生的透射光照射到所述待測樣品表面上的另一個區域，以檢測所述另一個區域的熱膨脹系數。