[發明專利]一種離子源輔助高功率脈沖磁控濺射沉積裝置

在審

• 申請號: 201711091583.3
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN107723674A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 孫德恩;李靜;梁斐珂
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，包括：

真空腔室；

設置在所述真空腔室內由偏壓電源供電的用于承載和轉動工件的工件轉架；

與所述真空腔室連接的真空泵；

設置在所述真空腔室內璧安裝的離子源槍、與高功率脈沖磁控濺射電源相連接的第一磁控濺射靶槍、分布設置在所述第一磁控濺射靶槍兩側相向設置并與所述第一磁控濺射靶槍的連線的夾角成預定角度的第二磁控濺射靶槍；

其中，所述離子源槍與所述第一磁控濺射靶槍在所述真空腔室內壁相向設置。

2.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述第二磁控濺射靶槍與所述第一磁控濺射靶槍的連線的夾角為80°～100°。

3.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述離子源槍的離子源為熱絲離子源。

4.如權利要求3所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述熱絲離子源為鎢絲離子源。

5.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述離子源為線形離子源。

6.如權利要求5所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述線形離子源為矩形陽極層線形離子源。

7.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，與所述第二磁控濺射靶槍連接的電源為直流磁控濺射電源、脈沖磁控濺射電源或中頻磁控濺射電源。

8.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述偏壓電源為直流電源或直流脈沖偏壓電源。

9.如權利要求1所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述第一磁控濺射靶槍的數量為多個，多個與所述高功率脈沖磁控濺射電源連接的所述第一磁控濺射靶槍為線性排列的圓盤型靶槍，所述第二磁控濺射靶槍為矩形平面磁控靶槍。

10.如權利要求9所述離子源輔助高功率脈沖復合磁控濺射沉積裝置，其特征在于，所述圓盤型靶槍為靶面直徑80mm～90mm，純度大于等于99.995％的Cr圓盤型靶槍。