[發(fā)明專利]發(fā)光器件封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711091280.1
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN108075025B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設計）人: 樸友情;金廷城;樸正圭;崔兌營
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/60
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.發(fā)光器件封裝件，包括：

封裝主體，包括其上部的安裝區(qū)；

引線框架，其在所述封裝主體的下面；

半導體發(fā)光器件，其在所述安裝區(qū)中并且通過位于所述半導體發(fā)光器件與所述引線框架之間的焊料凸塊電連接到所述引線框架；

頂層，其附接到所述半導體發(fā)光器件的頂表面，所述頂層包括紅色熒光體；以及

模塑層，其在所述安裝區(qū)中，所述模塑層覆蓋所述頂層并且包括短波長熒光體，所述短波長熒光體的峰值發(fā)射波長比所述紅色熒光體的峰值發(fā)射波長短，

其中：

所述頂層暴露所述半導體發(fā)光器件的側(cè)表面，并且

所述模塑層與所述半導體發(fā)光器件的側(cè)表面接觸，

其中，所述安裝區(qū)包括：

反射區(qū)，其從所述封裝主體的頂表面延伸到所述封裝主體的中心部分；以及

延伸區(qū)，其從所述反射區(qū)延伸到所述半導體發(fā)光器件的側(cè)表面，

其中，所述延伸區(qū)具有階梯結(jié)構，所述階梯結(jié)構包括：

第一部分，其連接到所述反射區(qū)；以及

第二部分，其從所述第一部分延伸并且插入所述半導體發(fā)光器件和所述引線框架之間，并且與所述焊料凸塊間隔開，并且

其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述頂層的最下表面所位于的水平等于或高于所述半導體發(fā)光器件的最上表面。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，還包括粘結(jié)層，其在所述頂層和所述半導體發(fā)光器件之間，其中，所述粘結(jié)層包括硅樹脂或環(huán)氧樹脂。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述第二部分的頂表面與所述半導體發(fā)光器件的底表面接觸。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述第一部分和所述第二部分之間的邊界的形狀與所述半導體發(fā)光器件的側(cè)表面互補。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中：

所述階梯結(jié)構還包括第三部分，其從所述第二部分延伸到所述反射區(qū)，并且

所述第三部分的厚度小于所述第一部分的厚度。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述反射區(qū)相對于所述封裝主體的頂表面傾斜20°到40°的角度。

8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，以硅樹脂聚合物膜或陶瓷板的形式提供所述頂層。

9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述頂層的厚度為30μm到400μm。

10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述頂層的形狀與所述半導體發(fā)光器件的頂表面相對應。

11.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述頂層的面積是所述半導體發(fā)光器件的頂表面的面積的70％到200％。

12.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述頂層包括貫穿其中的開口。

13.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，從所述頂層的側(cè)表面到所述半導體發(fā)光器件的側(cè)表面的距離等于或者小于800μm。

14.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述短波長熒光體在所述模塑層的下部的濃度高于在所述模塑層的上部的濃度。

15.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述短波長熒光體在所述模塑層中的濃度實質(zhì)上均勻。

16.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中，所述短波長熒光體具有510nm到560nm的峰值發(fā)射波長。