[發明專利]供給裝置和基板處理裝置有效
| 申請號: | 201711090661.8 | 申請日: | 2017-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN108063105B | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發明(設計)人: | 廣木勤 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G05D23/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;梁霄穎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供給 裝置 處理 | ||
本發明提供一種將溫度的不同的兩種熱交換介質交替供給到載置臺的供給裝置。供給裝置具有一個以上的閥裝置。一個以上的閥裝置各自具有筒狀的外殼和軸體。外殼提供第一~第二入口和第一~第二出口。第一~第二入口分別與第一~第二介質溫度調節器連接。第一~第二出口與載置臺的對應的區域連接。軸體插入外殼內。在軸體形成有第一供給槽和第二供給槽。軸體的繞中心軸線的旋轉角度位置處于第一角度范圍時,第一供給槽連接第一入口和第一出口,軸體的繞中心軸線的旋轉角度位置處于第二角度范圍時,第二供給槽連接第二入口和第二出口。
技術領域
本發明的實施方式涉及供給裝置和基板處理裝置。
背景技術
在半導體器件等電子器件的制造中,使用基板處理裝置。基板處理裝置一般來說具有腔室主體和載置臺。載置臺支承配置在其上的基板,設置在腔室主體內。
在使用基板處理裝置的基板處理中,對腔室主體內供給處理氣體,配置在載置臺上的基板被該處理氣體處理。在基板處理中,要求調整基板的溫度。為了調整基板的溫度,基板處理裝置對載置臺供給熱交換介質。這樣的基板處理裝置記載于下述的專利文獻1和專利文獻2。
在專利文獻1和專利文獻2中記載的基板處理裝置中,第一熱交換介質和具有與該第一熱交換介質的溫度不同的溫度的第二熱交換介質被交替地供給到載置臺的多個區域。在該基板處理裝置中,通過調整第一熱交換介質供給到載置臺的時間和第二熱交換介質供給到載置臺的時間長度,來調整基板的溫度。
專利文獻1和專利文獻2中記載的基板處理裝置,為了一個區域而具有二個三通閥和二個開閉閥、即四個閥裝置。由此,該基板處理裝置中的閥裝置的個數是一個區域用的閥裝置的個數(四個)與區域數的乘積。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2016-12593號公報
專利文獻2:日本特開2016-81158號公報
發明內容
發明想要解決的技術問題
如上所述為了將第一熱交換介質和第二熱交換介質交替供給到載置臺而需要多個閥裝置。由此,要求減少閥裝置的個數,減小裝置的尺寸。另外,為了將第一熱交換介質和第二熱交換介質交替供給到載置臺,進行開閉閥和三通閥的高速動作。于是要求提高閥裝置的動作速度和耐久性。
用于解決技術問題的技術方案
在一個方式中,提供一種供給裝置,其對支承基板的載置臺的一個以上的區域交替供給從第一介質溫度調節器輸出的第一熱交換介質和具有與該第一熱交換介質的溫度不同的溫度的從第二介質溫度調節器輸出的第二熱交換介質。供給裝置包括第一供給線路、第二供給線路、一個以上的第三供給線路、一個以上的第四供給線路和一個以上的閥裝置。第一供給線路與第一熱交換介質的輸出用的第一介質溫度調節器的供給端口連接。第二供給線路與第二熱交換介質的輸出用的第二介質溫度調節器的供給端口連接。一個以上的第三供給線路用于將來自第一供給線路的第一熱交換介質分別中繼到一個以上的區域。一個以上的第四供給線路用于將來自第二供給線路的第二熱交換介質分別中繼到一個以上的區域。一個以上的閥裝置分別對一個以上的區域中的一個對應的區域交替供給第一熱交換介質和第二熱交換介質。一個以上的閥裝置各自包括筒狀的外殼、軸體和驅動裝置。外殼提供第一入口、第二入口、第一出口和第二出口。第一入口與第一供給線路連接,第二入口與第二供給線路連接,第一出口與用于向一個對應的區域中繼第一熱交換介質的一個以上的第三供給線路中的一個第三供給線路連接,第二出口與用于向一個對應的區域中繼第二熱交換介質的一個以上的第四供給線路中的一個第四供給線路連接。軸體插入外殼內。在軸體形成有相對于該軸體的中心軸線在周向上延伸的第一供給槽和第二供給槽。軸體的繞中心軸線的旋轉角度位置處于第一角度范圍時,第一供給槽連接第一入口和第一出口,軸體的繞上述中心軸線的旋轉角度位置處于第二角度范圍時,第二供給槽連接第二入口和第二出口。驅動裝置用于使軸體繞中心軸線旋轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





