[發明專利]多層薄膜電容器

有效

• 申請號: 201711089220.6
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN108074741B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 樸魯逸;姜珌中;林承模;申鉉浩
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/232;H01G4/012
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王春芝;金光軍

本發明提供一種多層薄膜電容器，所述多層薄膜電容器包括多層主體，多個介電層以及多個第一內電極層和多個第二內電極層交替地堆疊在多層主體中，第一外電極和第二外電極設置在所述多層主體上并分別連接到所述第一內電極層和所述第二內電極層。多層薄膜電容器可包括：第一邊緣過孔，連接到所述第一外電極，并設置在所述多層主體的上表面的至少一個邊緣處或與所述至少一個邊緣相鄰設置；及第二邊緣過孔，連接到所述第二外電極，并設置在所述多層主體的所述上表面的至少一個邊緣處或與所述至少一個邊緣相鄰設置。

本申請要求于2016年11月11日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2016-0149983號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種多層薄膜電容器。

背景技術

安裝在智能電話中的下一代應用處理器與較舊的處理器相比更加地纖薄且輕。與較舊的處理器上的現存的多層陶瓷電容器(MLCC)相比，這些較新的處理器需要更纖薄且更輕的多層薄膜電容器。較新的多層薄膜電容器可利用薄膜技術研發，但是與現有的多層陶瓷電容器(MLCC)中的介電膜的數量相比，這些較新的多層薄膜電容器中包括較少量的介電層。因此，會難以制造具有較高電容的電容器。當利用薄膜技術堆疊大量介電層時，會需要在設置在每個介電層的上表面和下表面上的金屬電極層之間具有低的等效串聯電阻(ESR)。為了獲得低的等效串聯電阻(ESR)，過孔可形成為連接到金屬電極層，并且多個過孔可形成在外部端子與電極層之間。

改善薄膜電容器中的內電極層與連接電極之間的電連接的穩定性和可靠性以改善薄膜電容器的連接可靠性的現有方法包括重新排布過孔的布局，但是這些方法不能提供低ESR裝置。

發明內容

本公開的一方面可提供一種具有大體上較低的等效串聯電阻(ESR)的多層薄膜電容器。

根據本公開的一方面，一種多層薄膜電容器可包括：多層主體，具有在長度方向上彼此相對的第一表面和第二表面、在寬度方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及在厚度方向上彼此相對的上表面和下表面，并且具有堆疊結構，所述堆疊結構包括在所述厚度方向上交替地堆疊的多個第一內電極層和多個第二內電極層且包括介于相鄰的第一內電極層和第二內電極層之間的介電層；第一外電極和第二外電極，分別連接到所述第一內電極層和所述第二內電極層；第一邊緣過孔和第二邊緣過孔，分別連接到所述第一外電極和所述第二外電極，并設置在所述多層主體的所述上表面的至少一個邊緣處或與所述至少一個邊緣相鄰設置。所述第一外電極和所述第一邊緣過孔可設置在所述多層主體的所述上表面的第一部分中，所述第二外電極和所述第二邊緣過孔可設置在所述多層主體的所述上表面的第二部分中，所述第二部分可與所述第一部分在所述長度方向上分開。

根據本公開的另一方面，一種多層薄膜電容器可包括：多層主體，具有在長度方向上彼此相對的第一表面和第二表面、在寬度方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及在厚度方向上彼此相對的上表面和下表面，并且具有堆疊結構，所述堆疊結構包括在所述厚度方向上交替地堆疊的多個第一內電極層和多個第二內電極層且包括介于相鄰的第一內電極層和第二內電極層之間的介電層；第一外電極，連接到所述第一內電極層并設置在所述多層主體的所述上表面的第一部分中；第二外電極，連接到所述第二內電極層并設置在所述多層主體的所述上表面的第二部分中，所述第二部分與所述第一部分在所述長度方向上分開預定間距；多個第一中央過孔和多個第二中央過孔，設置在所述多層主體的所述上表面的位于所述第一部分與所述第二部分之間的中央部分中，并且分別連接到所述第一外電極和所述第二外電極；第一中央邊緣過孔，在所述中央部分中設置在所述多層主體的在所述寬度方向上彼此相對的兩個邊緣中的第一邊緣處或與所述第一邊緣相鄰設置，并且連接到所述第一外電極；及第二中央邊緣過孔，在所述中央部分中設置在所述多層主體的與所述兩個邊緣中的所述第一邊緣相對的第二邊緣處或與所述第二邊緣相鄰設置，并且連接到所述第二外電極。

附圖說明