[發明專利]一種薄膜晶體管及顯示裝置

有效

• 申請號: 201711088246.9
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN107958938B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 王曉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

本發明公開了一種薄膜晶體管及顯示裝置，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、有源層和熱傳輸層；其中，熱傳輸層設置于有源層的一側。本發明中有源層的熱量能夠通過熱傳輸層迅速傳導到周圍環境中，避免薄膜晶體管的自熱效應影響到正常的工作狀態。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管及顯示裝置。

背景技術

目前薄膜晶體管已廣泛應用于液晶顯示技術、有機電致發光顯示技術以及集成電路等方面，例如作為有源陣列顯示裝置中像素單元的開關，或者所為陣列基板行驅動的基本單元，形成柵極驅動電路。通過薄膜晶體管制備的顯示裝置，工藝流程更簡單，面板的集成度更高，因此，薄膜晶體管在平板顯示技術中發揮重要的作用。

本發明的發明人在長期的研發中發現，薄膜晶體管一般采用透明的玻璃作為基板，氮化硅或氧化硅材料作為柵絕緣層，有源層設置在基板或柵絕緣層上，由于玻璃、氮化硅和氧化硅的導熱率較低，當流過有源層的電流較大時，產生的熱量無法通過基板或柵絕緣層快速傳導到周圍環境中，容易引起薄膜晶體管的自熱效應，使薄膜晶體管的工作參數，例如閾值電壓、開態電流(I_on)、關態電流(I_off)和亞閾值擺幅等發生改變，從而影響薄膜晶體管的正常工作狀態。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管及顯示裝置，以解決現有技術中薄膜晶體管的有源層熱量無法發散，影響薄膜晶體管的正常工作狀態的技術問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是提供一種薄膜晶體管，包括：

柵極、源極、漏極、有源層和熱傳輸層；

其中，所述熱傳輸層設置于所述有源層的一側。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是提供一種顯示裝置，包括如上述的薄膜晶體管。

本發明通過在薄膜晶體管的有源層一側設置熱傳輸層，使得有源層的熱量能夠迅速傳導到周圍環境中，避免薄膜晶體管的自熱效應影響到正常的工作狀態。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖，其中：

圖1是本發明薄膜晶體管一實施例的結構示意圖；

圖2是圖1所示的薄膜晶體管在基板與有源層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖3是圖1所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖4是圖1所示的薄膜晶體管分別在基板與有源層之間、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖5是本發明薄膜晶體管另一實施例的結構示意圖；

圖6是圖5所示的薄膜晶體管在基板與有源層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖7是圖5所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖8是圖5所示的薄膜晶體管分別在基板與有源層之間、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖9是本發明薄膜晶體管又一實施例的結構示意圖；

圖10是圖9所示的薄膜晶體管在有源層遠離柵絕緣層一側增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；

圖11是圖9所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結構示意圖；