[發明專利]一種PEG修飾CuS中空納米球及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 201711088106.1 | 申請日： | 2017-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN107732238A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 蘇峰;王慶莉;李道聰 | 申請（專利權）人： | 合肥國軒高科動力能源有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/58 | 分類號： | H01M4/58;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙)34115 | 代理人： | 汪貴艷 |
| 地址： | 230011 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 peg 修飾 cus 中空 納米 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1) 在室溫情況下，將CuSO4溶液與PVP按物質的量比為1:100-500進行混合，并置于磁力攪拌器上攪拌形成溶液A；
(2)向溶液A中加入堿溶液進行攪拌，使溶液A的pH值為8.5~9；然后加入N2H4·H2O溶液，經反應制備得Cu2O納米球；其中CuSO4與N2H4·H2O物質的量比為1:1~1:1.5；
(3)將Cu2O納米球分散在乙醇與PEG的混合溶液中，攪拌形成溶液B；
(4)向溶液B中加入含有硫源的乙醇溶液，其中硫元素的含量為0.025~0.1mol/L，密封后泵入惰性氣體、升溫進行純化，純化產物經洗滌、烘烤后得PEG修飾CuS復合中空納米球。
2.根據權利要求1所述的一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述的CuSO4溶液的濃度為2~6mmol/L，所述PVP的K值為27-32。
3.根據權利要求1所述的一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的N2H4·H2O溶液的濃度為0.1~0.3mol/，所述Cu2O納米球的直徑為70~120nm。
4.根據權利要求1所述的一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于：步驟（4）中所述的硫源為可溶于乙醇的硫化物。
5.根據權利要求4所述的一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于：所述可溶于乙醇的硫化物為硫脲或辛硫醇。
6.根據權利要求1所述的一種PEG修飾CuS中空納米球的制備方法，其特征在于：步驟（4）中所述的純化是指先在惰性氣體中以90-95℃保溫30~60分鐘，然后脫氣30~10分鐘，最后在140-220℃高溫條件下保溫60~120分鐘；純化產物的洗滌是指在丙酮與乙醇中洗滌并以4000~6000rpm的轉速離心5~15分鐘。
7.一種如權利要求1-6任一項所述的制備方法所制備出的PEG修飾CuS復合中空納米球。
8.如權利要求7所述的PEG修飾CuS復合中空納米球的應用，其特征在于：所述PEG修飾CuS復合中空納米球作為鋰硫電池的正極材料。
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