[發(fā)明專利]有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711087327.7
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN107845727A
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐洪遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂,劉巍

1.一種有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，包括：基板；源漏電極層，其形成在所述基板上；有機(jī)半導(dǎo)體層，其形成在所述源漏電極層上；有機(jī)絕緣層，其形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上；電荷注入層，其形成在所述有機(jī)絕緣層上；柵電極層，其形成在所述電荷注入層上。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述源漏電極層材料為金、銀或氧化銦錫。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層材料為并五苯或聚(3-己基噻吩)。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)絕緣層材料為聚(4-乙基苯酚)或全氟樹脂。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述電荷注入層材料為溶膠-凝膠法制備的二氧化硅。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述電荷注入層材料的制作方法為將正硅酸乙酯、乙醇、水和HCL按1:10:3.5:0.003的質(zhì)量比例混合。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述柵電極層材料為金、鋁或銅。

8.一種有機(jī)薄膜晶體管制備方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成源漏電極層；

步驟2、在源漏電極層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層，再覆蓋有機(jī)絕緣層；

步驟3、在有機(jī)絕緣層上形成電荷注入層；

步驟4、在電荷注入層上形成柵電極層。

9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述電荷注入層材料為溶膠-凝膠法制備的二氧化硅。

10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述電荷注入層材料的制作方法為將正硅酸乙酯、乙醇、水和HCL按1:10:3.5:0.003的質(zhì)量比例混合。