[發明專利]一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法

在審

• 申請號: 201711087144.5
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN109755144A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 彭璐;吳向龍;趙軍華;徐曉強;王彥麗;肖成峰;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 陳桂玲

1.一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，將異方性導電膜電氣導通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片電極上，在異方性導電膜無需與芯片電極對位的情況下實現測試探針與所述芯片電極的非接觸電連接，進行LED芯片測試。

2.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，包括步驟：

(1)使待測芯片電極朝上位于測試機載臺上，用異方性導電膜覆蓋在芯片上面；

(2)將測試機載臺加熱溫度設定為80-200℃，給所述異方性導電膜加熱，保持溫度80-200℃，恒溫5-10min；

(3)用芯片測試裝置對步驟(2)所述覆蓋異方性導電膜的LED芯片進行掃描，使測試裝機的兩個探針觸及到芯片正負電極對應的異方性導電膜區域，并使所述異方性導電膜與芯片電極接觸；開始測試；

(4)測試完畢之后去掉異方性導電膜即可。

3.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，所述異方性導電膜的透過率>30％。

4.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，所述異方性導電膜膜厚度0.5-5mm；優選的，所述異方性導電膜膜厚度1-2mm。

5.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，步驟(1)中，所述待測芯片放在藍膜上再置于測試機載臺上。

6.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，步驟(1)中，所述待測芯片的P/N電極間距不少于20μm；優選所述待測芯片的P/N電極間距為20-40μm。

7.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，步驟(3)中調整測試針接觸壓力，使對應于N電極測試針壓力大于對應于P電極測試針壓力。

8.如權利要求1所述的一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法，其特征在于，用于藍光GaN基LED、綠光GaN基LED或紫外光GaN基LED芯片測試。