[發明專利]違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊在審
| 申請號: | 201711087105.5 | 申請日: | 2017-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN107769558A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 熊浩 | 申請(專利權)人: | 昆明理工大學津橋學院 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 650000 云南省昆明市*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 違章 抓拍 攝像 系統 電流 穩壓 電路 模塊 | ||
1.違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:包括電解電容C1(2)、穩壓二極管VZD1(14)、穩壓二極管VZD2(15)、P溝道型MOSFET Q1(4)、NPN型三極晶體管Q2(9)、PNP型三極晶體管Q3(12)、NPN型三極晶體管Q4(13)、電壓比較器芯片LM293 U1(10)、電阻R1(1)、電阻R2(3)、電阻R3(5)、電阻R4(11)、電阻R5(7)、電阻R6(6)、電阻R7(8);所述三極晶體管Q2(9)基極接U1(10)引腳1;所述三極晶體管Q2(9)集電極接電容C1(2)下端、電阻R2 (3)下端、穩壓二極管VZD2(15)上端、P溝道型MOSFETQ1(4)柵極,和三極晶體管Q3(12)集電極;所述三極晶體管Q2(9)發射極接電阻R1(1)下端和穩壓二極管VZD1(14)上端;所述P溝道型MOSFET Q1(4)源極接電阻R1(1)上端、電容C1(2)上端、電阻R2(3)上端、三極晶體管Q3(12)發射極,和直流24V輸入端;所述P溝道型MOSFET Q1(4)漏極接電阻R3(5)上端、電阻R5(7)左端,和電阻R6(6)左端;所述電壓比較器芯片LM293 U1(10)引腳4接地,引腳8接+5V電壓,引腳3接+5V電壓,引腳2接電阻R3(5)下端和電阻R4(11)上端;所述三極晶體管Q3(12)基極接三極晶體管Q4(13)集電極;所述三極晶體管Q4(13)發射級接地;所述三極晶體管Q4(13)基級接電阻R6(6)右端和電阻R7(8)左端;所述電阻R5(7)右端接電阻R7(8)右端和抓拍攝像頭及補光燈;所述電阻R4(11)下端接地;所述穩壓二極管VZD1(14)下端接地;所述穩壓二極管VZD2(15)下端接地;所述前級開關電源輸出+24伏電壓,經過電阻R2(3)和穩壓二極管VZD2(15),能為P溝道型MOSFET Q1(4)柵極與源極提供了-9伏的一個開啟電壓;所述+24伏電壓經過電阻R1(1)限流,能給穩壓二極管VZD1(14)提供24毫安的驅動電流,使得穩壓二極管VZD1(14)能夠穩壓在2.7伏;所述電容C1(2)能夠濾除MOSFET Q1(4)柵極與源極的高頻雜波;所述電阻R3(5)、電阻R4(11)連接處用于采集電壓采樣信號,電壓采樣信號輸入到電壓比較器U1(10)引腳2,電壓比較器U1(10)引腳3接+5伏的參考電壓,其引腳8接+5伏供電電壓,其引腳4接地;輸出到攝像頭和補光燈的電壓大于22.3伏時,電壓比較器U1(10)引腳1能夠輸出低電平,造成三極晶體管Q2(9)截止,能夠使MOSFET Q1(4)處于正常導通供電狀態,為攝像頭和補光燈提供穩定電壓和恒定電流;輸出到攝像頭和補光燈的電壓等于或小于22.3伏時,電壓比較器U1(10)引腳1能夠輸出高電平,造成三極晶體管Q2(9)導通,能夠使MOSFET Q1(4)柵極與源極之間得到一個-20伏強導通電壓,能夠讓 MOSFET Q1(4)處于完全導通大電流供電狀態,給攝像頭和補光燈提供大電流的同時把電壓穩定在+24伏;電阻R5(7)、電阻R6(6)、電阻R7(8)組成電流采樣模塊,電阻R6(6)和電阻R7(8)連接處的采樣電壓傳輸到三極晶體管Q4(13)基極;流過電阻R5(7)的電流大過14A能夠使三極晶體管Q4(13)導通、三極晶體管Q3(12)導通,造成MOSFET Q1(4)柵極與源極電壓降低到大約0.3伏,能夠使MOSFET Q1(4)截止,防止了持續大電流燒毀MOSFET Q1(4)、攝像頭、補光燈。
2.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述三極晶體管Q2(9),三極晶體管Q4(13)的型號為SS8050。
3.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述三極晶體管Q3(12)的型號為SS8550。
4.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述P溝道型MOSFET Q1(4)的型號為IRF4435。
5.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述穩壓二極管VDZ1(14)的型號為1N5986B。
6.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述穩壓二極管VDZ2(15)的型號為1N4744A。
7.根據權利要求1所述的違章抓拍攝像系統大電流穩壓電路模塊其特征在于:所述電壓比較器芯片U1(10)的型號為LM293。
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