[發(fā)明專利]一種開關(guān)電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711086294.4 | 申請日: | 2017-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN107809228A | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 顏棟卿;陳凱;張坤 | 申請(專利權(quán))人: | 晶晨半導(dǎo)體(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/042 | 分類號: | H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 開關(guān)電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種開關(guān)電路。
背景技術(shù)
開關(guān)電路在電子行業(yè)中應(yīng)用廣泛,當(dāng)開關(guān)電路關(guān)閉時候,如果后級電源下降緩慢,如果在電壓沒有完全掉到低電平時候再上電,那么掛在后級電源上的設(shè)備可能無法正確復(fù)位。設(shè)備在掉電過程中部分設(shè)備需要快速掉電以滿足自身復(fù)位的需要。
現(xiàn)有技術(shù)中,普通開關(guān)電路的具有關(guān)閉時候掉電慢的不足,通常使用開關(guān)芯片來提高開關(guān)速度,但是開關(guān)芯片存在成本比較高的問題
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供了一種能夠快速掉電且成本較低的開關(guān)電路。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種開關(guān)電路,包括:
一三極管,所述三極管的基極通過一第一電阻連接一控制端,所述控制端用于給三極管輸入開關(guān)控制信號,所述三級管的集電極通過一第二電阻連接一開關(guān)電壓輸入端,所述開關(guān)電壓輸入端用于接收外部輸入的開關(guān)輸入電壓,所述三極管的集電極還通過一第三電阻連接一P溝道MOS管和一N溝道MOS管,所述三極管的發(fā)射極接地;
所述P溝道MOS管的源極和柵極之間并聯(lián)一第一電容,所述P溝道MOS管的柵極連接所述第三電阻,所述P溝道MOS管的源極連接所述開關(guān)電壓輸入端,所述P溝道MOS管的漏極連接一開關(guān)電壓輸出端,所述開關(guān)電壓輸出端用于輸出開關(guān)輸出電壓;
一第四電阻,所述第四電阻一端連接所述三極管的基極,另一端接地;
所述N溝道MOS管的柵極連接所述第三電阻,所述N溝道MOS管的源極接地,所述N溝道MOS管的漏極連接所述開關(guān)電壓輸出端;
至少一個第二電容,每個所述第二電容一端分別連接所述開關(guān)電壓輸出端,另一端分別接地。
優(yōu)選的,所述開關(guān)輸入電壓為5V。
優(yōu)選的,所述開關(guān)控制信號為高電平時,所述開關(guān)電路導(dǎo)通,所述開關(guān)輸出電壓為5V;
所述控制端輸入的所述開關(guān)控制信號為低電平時,所述開關(guān)電路斷開,所述開關(guān)輸出電壓為0V。
優(yōu)選的,所述開關(guān)控制信號為高電平時,所述開關(guān)控制信號對應(yīng)3.3V電平。
優(yōu)選的,所述開關(guān)控制信號為高電平時,所述開關(guān)控制信號對應(yīng)1.8V電平。
優(yōu)選的,所述開關(guān)控制信號為高電平時,不考慮三極管的導(dǎo)通情況下,所述三極管的基極電壓被第一電阻和第四電阻分壓為1V。
優(yōu)選的,所述開關(guān)電路開關(guān)時,所述三極管的導(dǎo)通電壓小于或者等于0.7V。
本發(fā)明的有益效果:能夠快速掉電,開關(guān)快速且穩(wěn)定且成本比較低。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,一種開關(guān)電路的電路圖;
圖2為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,去掉N溝道MOS管后,控制端關(guān)電后,開關(guān)電壓輸出端的電壓跌落時間的實測波形圖之一;
圖3為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,保留N溝道MOS管后,控制端關(guān)電后,開關(guān)電壓輸出端的電壓跌落時間的實測波形圖之二;
圖4為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,去掉N溝道MOS管后,控制端關(guān)電后,開關(guān)電壓輸出端的電壓跌落時間的實測波形圖之三;
圖5為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,保留N溝道MOS管后,控制端關(guān)電后,開關(guān)電壓輸出端的電壓跌落時間的實測波形圖之四;
圖6為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中,去掉第四電阻后,控制端關(guān)電后,開關(guān)電壓輸出端的電壓跌落時間的實測波形圖之五。
具體實施方式
需要說明的是,在不沖突的情況下,下述技術(shù)方案,技術(shù)特征之間可以相互組合。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的說明:
如圖1所示,一種開關(guān)電路,其特征在于,包括:
一三極管QD2,上述三極管QD2的基極通過一第一電阻RD28連接一控制端A,上述控制端A用于給三級管QD2輸入開關(guān)控制信號BL-ON/OFF,上述三級管QD2的集電極通過一第二電阻RD24連接一開關(guān)電壓輸入端B,上述開關(guān)電壓輸入端B用于接收外部輸入的開關(guān)輸入電壓+5V-standby,上述三極管QD2的集電極還通過一第三電阻RD29連接一P溝道MOS管QD1和一N溝道MOS管Q9,上述三極管QD2的發(fā)射極接地;
上述P溝道MOS管QD1的源極和柵極之間并聯(lián)一第一電容CD51,上述P溝道MOS管QD1的柵極連接上述第三電阻RD29,上述P溝道MOS管QD1的源極連接上述開關(guān)電壓輸入端B,上述P溝道MOS管QD1的漏極連接一開關(guān)電壓輸出端C,上述開關(guān)電壓輸出端C用于輸出開關(guān)輸出電壓+5V-panal/0V-panal;
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