[發明專利]光刻掩膜優化設計方法及系統

有效

• 申請號: 201711085050.4
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN109752918B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，所述光刻掩膜優化設計方法包括如下步驟：

1)依據光刻所需參數條件依次進行光源優化、掩膜優化及光源-掩膜優化；其中，依據光刻所需參數條件進行的光源優化均包括如下步驟：提供初始光源；將所述初始光源進行第一次優化，以將所述初始光源劃分成第一網格狀；將第一次優化后的所述光源進行上采樣，以將第一次優化后的所述光源細化為第二網格狀，所述第二網格狀中網格的數量為所述第一網格狀中網格的數量的大于等于2的整數倍；將上采樣后的所述光源進行第二次優化，所述第二次優化不涉及光源模糊化處理；將第二次優化后的所述光源進行光源模糊化處理；及，將光源模糊化處理后的光源進行光瞳渲染；在依據光刻所需參數條件進行光源-掩膜優化的過程中，光源優化與掩膜優化協同優化；在經過光源優化、掩膜優化及光源-掩膜優化之后，得到曝光所需的光源及掩膜的相關參數；

2)依據優化結果設定曝光參數；

3)依據器件的關鍵尺寸對所述曝光參數進行修正；

4)依據修正后的曝光參數輸出光刻掩膜模型；

5)對所述光刻掩膜模型進行光學鄰近校正；及，

6)對光學鄰近校正后的所述光刻掩膜模型進行電性驗證檢測，在電性驗證檢測通過后得到所需的光刻掩膜。

2.根據權利要求1所述的光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，步驟1)中光刻所需參數條件包括：光刻機臺型號、光刻機臺硬件參數、光源數值孔徑、光源偏振方向及光刻膠膜層結構。

3.根據權利要求1所述的光刻掩膜優化設計方法，所述第一網格狀包括16×16的矩陣網格，所述第二網格狀包括32×32的矩陣網格。

4.根據權利要求1所述的光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，步驟1)中，依據光刻所需參數條件進行的掩膜優化均包括如下步驟：

提供初始掩膜；

將所述初始掩膜進行連續傳輸掩膜優化；

將連續傳輸掩膜優化后的所述掩膜中植入亞分辨率輔助圖形；

將植入有所述亞分辨率輔助圖形的所述掩膜進行未經過掩膜規則檢測的優化，以在所述掩膜內形成若干個間隔排布的不規則條狀圖形；及，

將形成有不規則條狀圖形的所述掩膜進行經過掩膜規則檢測的優化，以將所述不規則條狀圖形修正為矩形條狀圖形。

5.根據權利要求1所述的光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，所述器件的關鍵尺寸預先通過在實際生產工藝過程中量測收集而得到。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，當步驟6)中檢測到所述光刻掩膜模型中電連接結構存在斷路或短路時，步驟6)之后還包括對所述光刻掩膜模型進行熱點修復的步驟。

7.一種光刻掩膜優化設計系統，實現如權利要求1～6任意一項所述的光刻掩膜優化設計方法，其特征在于，所述光刻掩膜優化設計系統包括：

光源優化模塊，用于依據光刻所需參數條件進行光源優化；

掩膜優化模塊，用于依據光刻所需參數條件進行掩膜優化；

光源-掩膜優化模塊，與所述光源優化模塊及所述掩膜優化模塊相連接，用于依據光刻所需的參數條件對所述光源優化模塊及所述掩膜優化模塊優化后的所述掩膜進行進一步光源優化及掩膜優化；

曝光參數設定模塊，與所述光源-掩膜優化模塊相連接，用于依據優化結果?設定曝光參數；

數據存儲模塊，用于存儲器件的關鍵尺寸；

修正模塊，與所述曝光參數設定模塊及所述數據存儲模塊相連接，用于依據器件的關鍵尺寸對所述曝光參數進行修正；

模型輸出模塊，與所述修正模塊相連接，用于依據修正后的曝光參數輸出光刻掩膜模型；

光學鄰近校正模塊，與所述模型輸出模塊相連接，用于將輸出的光刻掩膜模型進行光學鄰近校正；及，

驗證檢測模塊，與所述光學鄰近校正模塊相連接，用于將光學鄰近校正后的所述光刻掩膜模型進行電性驗證檢測。