[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

有效

• 申請號: 201711083945.4
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN108573861B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 山本克彥;柄澤元;豐田一行
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

將形成有引導圖案的襯底收容于處理室的工序；

第一處理工序，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意一方的第一處理氣體的等離子體，各向同性地進行處理；

第二處理工序，在所述第一處理工序之后，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意另一方的第二處理氣體的等離子體，各向異性地進行處理；以及

在所述第二處理工序之后，對所述襯底的面上的未形成所述引導圖案的部分涂布使分子量不同的2種高分子鍵合而成的自組裝抗蝕劑材料的工序，

在所述第二處理工序中，至少對于所述襯底的面上和所述引導圖案的壁面，賦予不同的濕潤性。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第一處理工序在不對所述襯底施加偏壓的狀態下進行處理，

所述第二處理工序在對所述襯底施加偏壓的狀態下進行處理。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第二處理工序在比所述第一處理工序時降低了所述處理室內的壓力的狀態下進行處理。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第二處理工序在比所述第一處理工序時降低了所述處理室內的壓力的狀態下進行處理。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一處理工序與所述第二處理工序之間具有向所述處理室供給吹掃氣體的工序。

6.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一處理工序與所述第二處理工序之間具有向所述處理室供給吹掃氣體的工序。

7.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述第一處理工序與所述第二處理工序之間具有向所述處理室供給吹掃氣體的工序。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意一方是進行針對所述襯底的親水化處理的含氫氣體，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意另一方是進行針對所述襯底的疏水化處理的含氟氣體。

9.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意一方是進行針對所述襯底的親水化處理的含氫氣體，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意另一方是進行針對所述襯底的疏水化處理的含氟氣體。

10.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意一方是進行針對所述襯底的親水化處理的含氫氣體，

所述第一處理氣體或所述第二處理氣體中的任意另一方是進行針對所述襯底的疏水化處理的含氟氣體。

11.一種襯底處理裝置，包括：

處理室，收容形成有引導圖案的襯底；

第一氣體供給部，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意一方的第一處理氣體的等離子體；

第二氣體供給部，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意另一方的第二處理氣體的等離子體；

涂布機構，向所述處理室內的所述襯底的面上涂布抗蝕劑材料；以及

控制部，以如下方式控制所述第一氣體供給部、所述第二氣體供給部和所述涂布機構，即，在將所述第一處理氣體的等離子體供給到所述處理室而各向同性地進行處理之后、供給所述第二處理氣體的等離子體而各向異性地進行處理，然后對所述襯底的面上的未形成所述引導圖案的部分涂布使分子量不同的2種高分子鍵合而成的自組裝抗蝕劑材料，在所述各向異性的處理中至少對于所述襯底的面上和所述引導圖案的壁面，賦予不同的濕潤性。

12.一種計算機可讀取的記錄介質，存儲有通過計算機使襯底處理裝置執行如下步驟的程序，所述步驟為：

將形成有引導圖案的襯底收容于處理室的步驟；

第一處理步驟，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意一方的第一處理氣體的等離子體，各向同性地進行處理；

第二處理步驟，在所述第一處理步驟之后，向所述處理室供給針對所述襯底進行親水化處理或疏水化處理中的任意另一方的第二處理氣體的等離子體，各向異性地進行處理；以及

在所述第二處理步驟之后，對所述襯底的面上的未形成所述引導圖案的部分涂布使分子量不同的2種高分子鍵合而成的自組裝抗蝕劑材料的步驟，

在所述第二處理步驟中，至少對于所述襯底的面上和所述引導圖案的壁面，賦予不同的濕潤性。