[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711083442.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN108074910B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張相信;劉禹炅;韓奎熙;白宗玟;V.H.阮;金秉熙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

在襯底的第一區(qū)域上的第一絕緣夾層和在所述襯底的第二區(qū)域上的第二絕緣夾層；

在所述第一絕緣夾層上的多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)彼此間隔開；

多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)，分別填充所述第二絕緣夾層上的多個(gè)溝槽；

絕緣覆蓋結(jié)構(gòu)，選擇性地在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)之間的所述第一絕緣夾層的表面上以及在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)的每個(gè)的側(cè)壁和上表面上，所述絕緣覆蓋結(jié)構(gòu)包括絕緣材料；

第三絕緣夾層，在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)上；以及

空氣間隙，在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)之間在所述第三絕緣夾層下面，

其中所述絕緣覆蓋結(jié)構(gòu)包括第二覆蓋圖案和第三覆蓋圖案，所述第二覆蓋圖案在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)之間的所述第一絕緣夾層的所述表面上，所述第三覆蓋圖案在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)的每個(gè)的所述側(cè)壁和所述上表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣覆蓋結(jié)構(gòu)包括鋁合金。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二覆蓋圖案包括氧以及包括在所述第三覆蓋圖案中的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)上的包括導(dǎo)電材料的第一覆蓋圖案。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括覆蓋所述第二絕緣夾層和所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)的第一覆蓋掩模。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一覆蓋掩模包括SiOC、SiN或SiOCN。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述絕緣覆蓋結(jié)構(gòu)和所述第一覆蓋掩模上的襯墊層。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括延伸穿過(guò)所述第三絕緣夾層和所述第一覆蓋掩模的接觸插塞，所述接觸插塞與所述第二布線結(jié)構(gòu)電連接。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)的上表面以及所述第二絕緣夾層的上表面彼此共平面。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)的每個(gè)包括阻擋圖案和包含銅的金屬圖案。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述多個(gè)第一布線結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二布線結(jié)構(gòu)的每個(gè)上的包含錳的上覆蓋圖案。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

在所述第三絕緣夾層上的第四絕緣夾層；以及

多個(gè)第三布線結(jié)構(gòu)，分別在所述第四絕緣夾層中的多個(gè)溝槽中。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括覆蓋所述第四絕緣夾層和所述多個(gè)第三布線結(jié)構(gòu)的第二覆蓋掩模層。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述第四絕緣夾層上的多個(gè)第四布線結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)第四布線結(jié)構(gòu)的每個(gè)在其相反兩側(cè)的每個(gè)處具有上空氣間隙。