[發(fā)明專利]自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711082701.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN109755107B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張峰溢;李甫哲;林盈志;林剛毅;陳界得;張翊菁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，包含：

提供一基底，該基底上形成有一硬掩模層；

在該硬掩模層上形成多條芯線以及位于每一該芯線兩側(cè)的間隔壁，其中該些芯線往一第一方向延伸且該些間隔壁之間形成第一溝槽；

形成一保護(hù)層填滿該些第一溝槽；

移除該些芯線，以在該些間隔壁之間形成第二溝槽裸露出該硬掩模層；以及

以該些間隔壁以及該保護(hù)層為蝕刻掩模進(jìn)行第一各向異性蝕刻制作工藝，以移除部分從該些第二溝槽裸露的該硬掩模層，該第一各向異性蝕刻制作工藝移除部分從該些第二溝槽裸露的該硬掩模，使得從該些第二溝槽裸露的該硬掩模層的厚度等于該保護(hù)層下方的該硬掩模層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，其中形成該些間隔壁的步驟包含：

在該些芯線以及該硬掩模層上形成一共形的間隔層；

對(duì)該間隔層進(jìn)行第二各向異性蝕刻制作工藝，使得該間隔層自對(duì)準(zhǔn)地變?yōu)槲挥诿恳辉撔┬揪€兩側(cè)的該些間隔壁并且在該些間隔壁之間形成該些第一溝槽裸露出該硬掩模層，其中該第二各向異性蝕刻制作工藝會(huì)同時(shí)移除部分從該些第一溝槽裸露出的該硬掩模層。

3.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，還包含在該第一各向異性蝕刻制作工藝后移除該保護(hù)層以及該些間隔壁，以裸露出整個(gè)該硬掩模層，其中該硬掩模層具有多條凸出的線圖形彼此間隔并往該第一方向延伸。

4.如權(quán)利要求3所述的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，還包含：

在形成該掩模前進(jìn)行一前自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案制作工藝而形成多條前程線圖案彼此間隔并往一第二方向延伸；

在該前程線圖案上形成一介電層以及該硬掩模層；

在移除該保護(hù)層以及該些間隔壁后對(duì)該掩模層進(jìn)行第三各向異性蝕刻制作工藝，將該硬掩模層的該些線圖案轉(zhuǎn)移至下方的該前程線圖案，如此重疊的該些線圖案以及該些前程線圖案形成位于該基底上多個(gè)呈陣列排列的點(diǎn)掩模圖案。

5.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，還包含在移除該些芯線后進(jìn)行一修整制作工藝來削薄并調(diào)整該些間隔壁的厚度以及該些第二溝槽的寬度。

6.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案方法，其中該芯線包含一有機(jī)介電層(organicdielectric layer,ODL)以及一介電抗反射層(dielectric anti-reflective coating,DARC)，該第一各向異性蝕刻制作工藝會(huì)同時(shí)完全移除該芯線的該介電抗反射層。