[發明專利]半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201711082329.7
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN109755180B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 林庚平;歐陽自明;李書銘;黑川哲治
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供基底，所述基底具有存儲器區與周邊區，其中所述存儲器區中的所述基底上具有第一介電層，且所述周邊區中的所述基底上具有第二介電層；

在所述第一介電層上形成多個第一柵極結構以及在所述第二介電層上形成至少一第二柵極結構；

在所述基底上形成第三介電層，所述第三介電層覆蓋所述基底、所述第一介電層、所述第一柵極結構、所述第二介電層與所述第二柵極結構；

移除所述第一柵極結構兩側的所述基底上的所述第一介電層與所述第三介電層；

移除剩余的所述第三介電層與其下方的部分所述第一介電層；

形成第四介電層，以覆蓋所述第二柵極結構的側壁、所述存儲器區中的基底、所述第一介電層以及所述第一柵極結構；

形成第五介電層，以覆蓋所述周邊區的所述基底與所述第二柵極結構；以及

移除所述存儲器區中的所述基底上的所述第四介電層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中所述第一介電層、所述第二介電層、所述第三介電層與所述第五介電層各自包括氧化物層。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中所述第四介電層包括氮化物層。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中在形成所述第三介電層之后以及在移除所述存儲器區中的所述基底上的所述第一介電層與所述第三介電層之前還包括在所述周邊區的所述基底上形成罩幕層，移除所述存儲器區中的所述基底上的所述第一介電層與所述第三介電層的方法包括進行非等向性蝕刻制程，且在移除所述存儲器區中的所述基底上的所述第一介電層與所述第三介電層之后以及在移除剩余的所述第三介電層與部分所述第一介電層之前還包括移除所述罩幕層。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的制造方法，其中移除剩余的所述第三介電層與部分所述第一介電層的方法包括進行等向性蝕刻制程。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中形成所述第四介電層的方法包括：

在所述基底上共形地形成介電材料層；

在所述存儲器區中的所述基底上形成罩幕層；

進行非等向性蝕刻制程，移除部分所述介電材料層；以及

移除所述罩幕層。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中形成所述第五介電層的方法包括：

在所述基底上形成介電材料層，其中所述介電材料層覆蓋所述存儲器區中的所述第四介電層并填滿所述第一柵極結構之間的空間以及共形地形成于所述周邊區中的所述基底上；

在所述周邊區中的所述基底上形成罩幕層；以及

進行等向性蝕刻制程，移除所述存儲器區中的所述介電材料層，

且其中移除所述存儲器區中的所述基底上的所述第四介電層的方法包括：

進行非等向性蝕刻制程，移除所述第一柵極結構的頂面上以及所述第一柵極結構兩側的所述基底上的所述第四介電層；以及

移除所述罩幕層。