[發明專利]全無機鈣鈦礦單晶的逆溫溶液生長方法有效
| 申請號： | 201711081319.1 | 申請日： | 2017-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN107829139B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 徐亞東;張濱濱;張洪健;盧宇飛;劉欣;周策;介萬奇 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B7/14 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 無機 鈣鈦礦單晶 逆溫 溶液 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種全無機鈣鈦礦單晶的逆溫溶液生長方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟一、將0.05-0.08mol、濃度為99.99％的溴化銫和0.1-0.16mol、濃度為99.99％的溴化鉛加入到100-160mL的二甲基亞砜中攪拌溶解1-3小時，待固體完全溶解后過濾得到澄清溶液；
步驟二、用過濾注射器過濾上述所得澄清溶液，加入逆溶解度混合液，并充分攪拌，獲得前驅體溶液；所述的逆溶解度混合液由環己醇和二甲基甲酰胺按體積比1:1.5～1:1.8混合制得，加入逆溶解度混合液體積為100-160mL；
步驟三、將前驅體溶液存置于密閉容器中，在溫度為49-50℃的水浴中保溫10-12小時；保溫結束后產生細小晶體若干，在49-50℃的條件下再次過濾前驅體溶液，得到飽和的澄清前驅體溶液；
步驟四、將盛有步驟三得到的飽和的澄清前驅體溶液的容器置于水浴中，控制水浴溫度以0.5-1℃/天的速率上升，進行單晶體生長；單晶體生長周期為10～15天。
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