[發(fā)明專利]光學(xué)投影裝置及其控制方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711080734.5
• 申請(qǐng)日: 2017-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN108121133A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王獻(xiàn)冠;張丁軍;鄧想全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳奧比中光科技有限公司
• 主分類號(hào): G03B21/00
• 分類號(hào): G03B21/00;G03B21/14;G03B21/20
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種光學(xué)投影裝置，其特征在于，包括：

光源，發(fā)射光束；

透鏡，接收、匯聚所述光源發(fā)射的光束，并投射平行光束；

衍射光學(xué)元件，接收、分束所述平行光束，并投射圖案化光束；

透明導(dǎo)電薄膜，附于所述透鏡和/或所述衍射光學(xué)元件的表面，具有電阻屬性；

控制電路模塊，與所述透明導(dǎo)電薄膜和所述光源電連接，用于獲取所述透明導(dǎo)電薄膜的電阻以判定透鏡和/或衍射光學(xué)元件的完整性；所述控制電路模塊預(yù)設(shè)有不同的調(diào)制函數(shù)，并根據(jù)所述電阻選定對(duì)應(yīng)的所述調(diào)制函數(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)所述光源的發(fā)光功率。

2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影裝置，其特征在于，所述控制電路模塊預(yù)設(shè)有界限電阻區(qū)間和極限電阻值；根據(jù)所述電阻與所述界限電阻區(qū)間和所述極限電阻值的比較結(jié)果選定對(duì)應(yīng)的所述調(diào)制函數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)投影裝置，其特征在于，所述界限電阻區(qū)間包括，低電阻區(qū)間(0，R_L)、安全電阻區(qū)間[R_L,R_H]、高電阻區(qū)間(R_H,R_M)；所述極限電阻值包括0和R_M。

4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)投影裝置，其特征在于，所述調(diào)制函數(shù)包括，f1(R)＝1、f2(R)＝0、f3(R)＝((R_L-R)/R_L)ⁿ以及f4(R)＝((R-R_H)/(R_M-R_H))ⁿ；其中n大于0。

5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影裝置，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜、所述光源串聯(lián)接入所述控制電路模塊中。

6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)投影裝置，其特征在于，附在所述光學(xué)衍射元件上的第一透明導(dǎo)電薄膜與附在所述透鏡上的第二透明導(dǎo)電薄膜并聯(lián)或串聯(lián)連接。

7.一種采用如權(quán)利要求1-6任一所述光學(xué)投影裝置的控制方法，其特征在于，包括步驟：

控制電路模塊獲取透明導(dǎo)電薄膜的電阻；

根據(jù)所述電阻判定透鏡和/或衍射光學(xué)元件的完整性；并根據(jù)所述電阻選定對(duì)應(yīng)的調(diào)制函數(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)光源的發(fā)光功率。

8.如權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述控制電路模塊將所述電阻與低電阻區(qū)間(0，R_L)、安全電阻區(qū)間[R_L,R_H]、高電阻區(qū)間(R_H,R_M)、極限電阻值0和R_M進(jìn)行比較。

9.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)比較的結(jié)果，所述控制電路模塊對(duì)所述光源發(fā)光功率的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)包括保持所述光源發(fā)光功率、關(guān)閉所述光源或者漸變降低所述光源的發(fā)光功率。

10.如權(quán)利要求9所述的控制方法，其特征在于，當(dāng)所述透明導(dǎo)電薄膜的電阻R落于安全電阻區(qū)間[R_L,R_H]時(shí)，所述控制電路模塊保持所述光源的發(fā)光功率P＝P₀*f1(R)，并持續(xù)采集、對(duì)比、分析所述透明導(dǎo)電薄膜電阻的變化；當(dāng)透明導(dǎo)電薄膜的電阻R等于0、或大于等于極限電阻R_M時(shí)，所述控制電路模塊關(guān)閉所述光源P＝P₀*f2(R)，結(jié)束工作；當(dāng)透明導(dǎo)電薄膜的電阻R落于低電阻區(qū)間(0，R_L)時(shí)，所述控制電路模塊根據(jù)調(diào)制函數(shù)f3(R)降低所述光源的發(fā)光功率P＝P₀*f3(R)；當(dāng)透明導(dǎo)電薄膜的電阻R落于高電阻區(qū)間(R_H,R_M)時(shí)，所述控制電路模塊根據(jù)調(diào)制函數(shù)f4(R)降低所述光源的發(fā)光功率P＝P₀*f4(R)。